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기재 및 상기 기재의 적어도 일면에 위치하는 코팅층을 포함하고,상기 코팅층은,폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체;1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하의 크기를 가지는 제1 공극; 10 ㎚ 이상 70 ㎚ 미만의 크기를 가지는 제2 공극; 및무기물 입자;를 포함하며,상기 무기물 입자는 층상 구조이고, 상기 층상 구조가 상기 코팅층 내 박리되어 분산된 형태인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제1항에 있어서, 상기 무기물 입자의 함량은,상기 폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체의 총 중량에 대한 중량%로서, 0
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제1항에 있어서,상기 무기물 입자의 형상은,구체(solid sphere), 긴 원통(long cylinder), 프리즘(prism), 플랫 디스크(flat disc), 할로우 스피어(hollow sphere), 및 덤벨 파티클(dumbbell particle), 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제1항에 있어서,상기 무기물 입자의 높이는,0
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제1항에 있어서,상기 무기물 입자는,BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), HfO2, SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO2, Y2O3, Al2O3, TiO2, SiC, SiO2, Li2PO3, LixTiy(PO4)3 (0003c#x003c#2 및 0003c#y003c#3), LixAlyTiz(PO4)3 (0003c#x003c#2, 0003c#y003c#1 및 0003c#z003c#3), (LiAlTiP)xOy계 유리 (0003c#x003c#4 및 0003c#y003c#13), LixLayTiO3 (0003c#x003c#2 및 0003c#y003c#3), LixGeyPzSw (0003c#x003c#4, 0003c#y003c#1, 0003c#z003c#1 및 0003c#w003c#5), LixNy (0003c#x003c#4 및 0003c#y003c#2), LixSiySz계 유리(0003c#x003c#3, 0003c#y003c#2 및 0003c#z003c#4), LixPySz계 유리(0003c#x003c#3, 0003c#y003c#3 및 0003c#z003c#7), 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제1항에 있어서,상기 제1 공극의 공극율은 상기 제1 공극 및 상기 제2 공극의 총 부피에 대하여 10 내지 90 부피% 이고,상기 제2 공극의 공극율은 상기 제1 공극 및 상기 제2 공극의 총 부피에 대하여 10 내지 90 부피% 인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제1항에 있어서,상기 PVdF-HFP 공중합체는,제1 폴리플루오로비닐리덴으로부터 유도되는 구조 단위 및 제1 헥사플루오로프로필렌으로부터 유도되는 구조 단위를 포함하는 제1 폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체; 및제2 폴리플루오로비닐리덴으로부터 유도되는 구조 단위 및 제2 헥사플루오로프로필렌으로부터 유도되는 구조 단위를 포함하는 제2 폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체;를 포함하는 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제8항에 있어서,상기 PVdF-HFP 공중합체 내 제1 PVdF-HFP 공중합체 및 제2 PVdF-HFP 공중합체의 조성은,상기 제2 PVdF-HFP 공중합체에 대한 제1 PVdF-HFP 공중합체의 중량 비율로서, 3:7 내지 7:3로 표시되는 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제8항에 있어서,제1 PVdF-HFP 공중합체 내 제1 헥사플루오로프로필렌의 함량은, 상기 제1 PVdF-HFP 공중합체의 총 중량에 대하여 10 내지 20 중량%이고,제2 PVdF-HFP 공중합체 내 제2 헥사플루오로프로필렌의 함량은, 상기 제2 PVdF-HFP 공중합체의 총 중량에 대하여 1 내지 9 중량%인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제8항에 있어서,상기 제1 PVdF-HFP 공중합체 및 상기 제2 PVdF-HFP 공중합체의 각 중량평균분자량은,380,000 내지 600,000인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제8항에 있어서,상기 제1 PVdF-HFP 공중합체 및 상기 제2 PVdF-HFP 공중합체의 각 수평균분자량은,130,000 내지 180,000인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제1항에 있어서,상기 코팅층의 두께는,2 내지 30 ㎛ 인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제1항에 있어서,상기 기재의 두께는,2 내지 30 ㎛ 인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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제1항에 있어서,상기 기재는,폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에틸렌나프탈렌, 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터
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기재를 준비하는 단계;폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체, 정용매(good solvent), 무기물 입자, 및 부용매(poor solvent)를 혼합하여, 코팅 용액을 제조하는 단계; 및상기 기재의 적어도 일면을 상기 코팅 용액으로 코팅하여, 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 코팅층은, 1㎛ 이상 10㎛ 이하의 크기를 가지는 제1 공극, 및 10nm 이상 700nm 미만의 크기를 가지는 제2 공극을 포함하며,상기 무기물 입자는 층상 구조이고, 상기 층상 구조가 상기 코팅층 내 박리되어 분산된 형태인,전기화학 소자용 세퍼레이터의 제조 방법
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제16항에 있어서,폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체, 정용매(good solvent), 무기물 입자, 및 부용매(poor solvent)를 혼합하여, 코팅 용액을 제조하는 단계;는,상기 PVdF-HFP 공중합체 및 상기 정용매를 혼합하여, 제1 용액을 제조하는 단계;상기 무기물 입자 및 상기 부용매를 혼합하여, 제2 용액을 제조하는 단계; 및상기 제1 용액에 상기 제2 용액을 투입하여, 상기 코팅 용액을 수득하는 단계;를 포함하는 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터의 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 제2 용액 내 무기물 입자의 함량은,상기 부용매에 대한 상기 무기물 입자의 중량%로서, 0
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제16항에 있어서, 상기 코팅 용액 내 무기물 입자의 함량은,상기 폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체의 총 중량에 대한 중량%로서, 0
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제16항에 있어서,상기 PVdF-HFP 공중합체는,제1 폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체 및 제2 폴리플루오로비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVdF-HFP) 공중합체를 포함하는 것이고,상기 제1 PVdF-HFP 공중합체는 제1 폴리플루오로비닐리덴으로부터 유도되는 구조 단위 및 제1 헥사플루오로프로필렌으로부터 유도되는 구조 단위를 포함하고, 상기 제1 헥사플루오로프로필렌은 상기 제1 PVdF-HFP 공중합체의 총량에 대하여 10 내지 20 중량%로 포함되고,상기 제2 PVdF-HFP 공중합체는 제2 폴리플루오로비닐리덴으로부터 유도되는 구조 단위 및 제2 헥사플루오로프로필렌으로부터 유도되는 구조 단위를 포함하고, 상기 제2 헥사플루오로프로필렌은 상기 제2 PVdF-HFP 공중합체의 총량에 대하여 1 내지 9 중량%로 포함되는 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터의 제조 방법
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제20항에 있어서,상기 PVdF-HFP 공중합체 내 제1 PVdF-HFP 공중합체 및 제2 PVdF-HFP 공중합체의 조성은,상기 제2 PVdF-HFP 공중합체에 대한 제1 PVdF-HFP 공중합체의 중량 비율로서, 3:7 내지 7:3으로 표시되는 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 코팅 용액 내 제 PVdF-HFP 공중합체의 함량은 상기 코팅 용액의 총 중량에 대한 중량%로서, 1 내지 30 중량%로 표시되는 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 코팅 용액 내 정용매 및 부용매의 조성은,상기 부용매에 대한 상기 정용매의 중량 비율로서, 90:10 내지 99:1로 표시되는 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 정용매는, 아세톤, N-메틸2-피롤리돈, 디메틸 아세트아미드 또는 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나이고,상기 부용매는, 알코올, 물 또는 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나인 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 코팅은,딥 코팅(dip coating)하는 방법으로 수행되는 것인,전기화학 소자용 세퍼레이터의 제조 방법
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양극; 음극; 및상기 양극 및 상기 음극 사이에 위치하는 세퍼레이터;를 포함하며,상기 세퍼레이터는,제1항 내지 제3항, 및 제5항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 것인,전기화학 소자
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