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그래핀의 제조 방법(Method for production of graphene)

  • 기술번호 : KST2016011732
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요약 본 발명은 그래핀의 전기화학적 제조 방법에 관한 것으로, a) 그래파이트를 이온성 용액에 넣어 전압을 인가하여 팽창시키는 단계 및 b) 상기 팽창된 그래파이트를 산 수용액에 넣어 전압을 인가하여 박리시키는 단계를 포함하여 그래핀을 박리할 수 있으며, 팽창과 박리의 다단계로 진행함에 따라 손상이 작으면서도 두께가 얇고, 산소의 함량이 낮은 그래핀을 제조할 수 있다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01)
CPC C01B 32/19(2013.01) C01B 32/19(2013.01)
출원번호/일자 1020140174584 (2014.12.08)
출원인 기초과학연구원, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1653181-0000 (2016.08.26)
공개번호/일자 10-2016-0069109 (2016.06.16) 문서열기
공고번호/일자 (20160901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 심종원 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-1189511-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-5003826-60
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.02.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-5005367-51
7 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0037525-17
8 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0041498-11
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-5010392-11
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0065024-16
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0184150-02
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0443586-01
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0443603-90
15 등록결정서
Decision to grant
2016.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0598565-89
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 그래파이트를 이온성 용액에 넣어 제1전압을 인가하여 팽창시키는 단계; 및b) 팽창된 그래파이트를 산 수용액에 넣어 제2전압을 인가하여 박리시키는 단계;를 포함하며, 상기 제1전압(V1) 및 제2전압(V2)은 하기 관계식1 및 2를 만족하는 그래핀의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,제조된 그래핀은 하기 관계식 3을 만족하는 그래핀의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 a)단계의 이온성 용액은 이온성 액체와 물을 포함하는 그래핀의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 이온성 용액은 이온성 액체 10~90 중량%의 농도를 가지는 그래핀의 제조방법
6 6
제 4항에 있어서,상기 이온성 액체의 음이온은 I-, Br-, Cl-, HSO4-, CH3CO2- 및 NO3-에서 선택되는 어느 하나인 그래핀의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 이온성 액체의 양이온은 이미다졸륨계, 피리디늄계, 4급 암모늄계 및 4급 포스포늄계 화합물에서 선택되는 어느 하나인 그래핀의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 산 수용액은 산 0
9 9
제 8항에 있어서,상기 산은 황산, 질산, 염산, 인산, 포름산, 초산 또는 이들의 혼합물인 그래핀의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,c) 박리된 그래핀을 극성 유기용매에 넣어 자연 환원 시키는 단계를 더 포함하는 그래핀의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 c)단계의 극성 유기용매는 알코올류 용매, 아세톤, N,N-디메틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 또는 이들의 혼합물인 그래핀의 제조방법
12 12
제 10항에 있어서,상기 c)단계는 12시간 이상 동안 환원이 이루어지는 그래핀의 제조방법
13 13
제 10항에 있어서,d) 원심분리로 1회 이상 정제하는 단계를 더 포함하는 그래핀의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.