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HEMT; 상기 HEMT에 제공되는 소스; 상기 HEMT에 제공되는 게이트;상기 HEMT에 제공되는 드레인; 상기 드레인이 접속되는 제 1 안테나; 상기 드레인에 DC전압을 인가하는 드레인 바이어스; 및상기 소스와 상기 게이트를 소자단위로 연결하는 소스게이트접속구를 포함하고, 상기 HEMT의 막에는, 기판, 상기 기판의 상측에 제공되는 채널층이 포함되고, 상기 채널층은 InGaAs/InAs, AlGaN/GaN, InAlN/AlN/GaN, AlGaAs/GaAs 및 AlGaAs/InGaAs 중에서 선택되는 이종접합구조를 가지며,상기 소스게이트접속구는 일방향으로 길게 제공되는 게이트의 길이방향에 대하여 수직으로 연장되고, 상기 소스게이트접속구는 그라운드와 함께 형성되며,상기 게이트와 상기 소스는 상기 소스게이트접속구에 의해서 최단거리로 서로 접속되고,상기 소스게이트접속구에 의해, 상기 게이트와 상기 소스는 서로 AC단락되며, 상기 게이트와 상기 소스의 사이에는 기생성분이 없도록 형성되는 테라헤르츠 방사장치
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제 1 항에 있어서, 상기 채널층에는, 5nm두께의 In0
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제 1 항에 있어서, 상기 채널층 상에 제공되는 스페이서;상기 스페이서 상의 델타도핑층; 및상기 델타도핑층의 상측에 제공되는 쇼트키층이 더 포함되는 테라헤르츠 방사장치
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제 9 항에 있어서, 상기 쇼트키층 상에 더 포함되는 에치스탑층; 및캡층이 포함되는 테라헤르츠 방사장치
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 InP, sapphaire, 및 SiC 중에서 선택되는 테라헤르츠 방사장치
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제 1 항에 있어서, 상기 기판의 하면에 제공되는 메탈층이 더 포함되는 테라헤르츠 방사장치
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제 1 항에 있어서, 상기 소스에 접속되는 제 2 안테나; 및상기 소스에 DC전압을 인가하는 소스 바이어스가 더 포함되는 테라헤르츠 방사장치
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제 13 항에 있어서, 상기 소스 바이어스 및 상기 드레인 바이어스에는 높은 임피던스를 가지는 고임피던스라인을 포함하는 테라헤르츠 방사장치
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제 14 항에 있어서, 상기 고임피던스라인은 좁은 선폭의 선형으로서, 직선형 또는 굴곡형인 테라헤르츠 방사장치
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제 13 항에 있어서, 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나는 직선 또는 래디얼 스터브 형태로 제공되는 테라헤르츠 방사장치
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제 16 항에 있어서, 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나는 플라즈마 파의 진행방향에 대하여 양방향 대칭구조로 제공되는 테라헤르츠 방사장치
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제 14 항에 있어서, 상기 고임피던스라인은 플라즈마 파의 진행방항에 대하여 수직방향으로 연장되는 테라헤르츠 방사장치
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제 14 항에 있어서, 상기 고임피던스라인은 상기 제 1 안테나 또는 상기 제 2 안테나의 중앙에 접속하는 테라헤르츠 방사장치
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제 14 항에 있어서, 상기 고임피던스라인은 드레인에 인접하는 위치에 접속하는 테라헤르츠 방사장치
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제 14 항에 있어서, 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나는 서로 같은 방향으로 연장되거나 서로 다른 방향을 연장되는 테라헤르츠 방사장치
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제 13 항에 있어서, 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나의 길이는 λeff/4이고, 여기서 λeff는 기판을 고려하여 계산한 방사하는 테라헤르츠 파의 유효파장인 테라헤르츠 방사장치
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제 13 항에 있어서, 상기 소스 바이어스 및 상기 드레인 바이어스에는 λeff/4 길이의 고임피던스라인이 포함되고, 여기서 λeff는 기판을 고려하여 계산한 방사하는 테라헤르츠 파의 파장인 테라헤르츠 방사장치
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HEMT를 제공하는 성막공정; 소스와 드레인을 제공하는 공정;게이트를 제공하는 공정;상기 게이트와 상기 소스를 소자단위에서 연결하는 공정; 및후처리공정을 포함하고,상기 게이트와 상기 소스를 소자단위에서 연결하는 공정은,상기 게이트와 소스가 최단거리로 서로 접속되도록, 일방향으로 길게 제공되는 게이트의 길이방향에 대하여 수직으로 연장되는 소스게이트접속구를 형성하는 공정을 포함하며,상기 소스게이트접속구는 그라운드와 함께 형성되며,상기 소스게이트접속구에 의해, 상기 게이트와 상기 소스는 서로 AC단락되며, 상기 게이트와 상기 소스의 사이에는 기생성분이 없도록 형성되고,상기 HEMT의 막에는, 기판, 상기 기판의 상측에 제공되는 채널층이 포함되고, 상기 채널층은 InGaAs/InAs, AlGaN/GaN, InAlN/AlN/GaN, AlGaAs/GaAs 및 AlGaAs/InGaAs 중에서 선택되는 이종접합구조를 가지는 테라헤르츠 방사장치의 제조방법
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제 24 항에 있어서, 상기 게이트를 제공하는 공정 전에, 게이트리세스공정이 더 수행되는 테라헤르츠 방사장치의 제조방법
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제 25 항에 있어서, 상기 HEMT의 이종접합구조에는 InGaAs/InAs가 포함되고, 기판으로는 InP가 사용되는 테라헤르츠 방사장치의 제조방법
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제 26 항에 있어서, 상기 게이트는 HEMT와 쇼트키 컨택을 이루는 테라헤르츠 방사장치의 제조방법
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제 26 항에 있어서, 상기 게이트제공공정은, Ti/Pt/Au 또는 Pt/Ti/Pt/Au다층금속에 의해서 제공되는 테라헤르츠 방사장치의 제조방법
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제 24 항에 있어서, 상기 HEMT의 이종접합구조에는 AlGaN/GaN가 포함되고, 기판으로는 SiC 또는 사파이어가 사용되는 테라헤르츠 방사장치의 제조방법
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제 29 항에 있어서, 상기 소스와 상기 드레인을 제공하는 공정은, Ti/Al/Ni/Au 또는 Mo/Al/Mo/Au 다층구조로 오믹컨택물질을 증착하고, 600~950도의 열처리를 수행하는 테라헤르츠 방사장치의 제조방법
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