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에너지 하베스팅 소자, 전기열량 냉각 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 모놀리식 소자(Energy harvesting device, electrocaloric cooling device, method of fabricating the devices and monolithic device having the devices)

  • 기술번호 : KST2016011767
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에너지를 변환하기 위한 소자에 관한 것으로서, 에너지 하베스팅 소자, 전기열량 냉각 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 모놀리식 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, Hf1-xZrxO2 이고, 0.7 ≤ x 003c# 0.9의 화학식으로 이루어진 화합물을 포함하는 초전층이 제공된다.
Int. CL H01L 39/12 (2006.01) H01L 39/02 (2006.01)
CPC H01L 39/02(2013.01) H01L 39/02(2013.01) H01L 39/02(2013.01) H01L 39/02(2013.01)
출원번호/일자 1020140176247 (2014.12.09)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0069961 (2016.06.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.09)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울특별시 강남구
2 박민혁 대한민국 경기도 광명시 모세로 *,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-1198582-92
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0235629-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0073770-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0063359-59
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0862948-09
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0134122-71
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0134105-05
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0474660-44
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0850389-48
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0850388-03
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0066771-34
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2017.02.24 수리 (Accepted) 7-1-2017-0007965-16
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0299640-13
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.03.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0299641-69
18 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0307940-96
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고,상기 화합물은 스페이스 그룹 P42/nmc의 tetragonal-상(phase)의 결정질을 포함하며, 상기 tetragonal-상과 스페이스 그룹 Pca21의 orthorhombic-상 사이의 전계 유도 상전이에 의한 이중 이력 루프 특성을 갖는 반강유전성 거동을 나타내는 초전층(pyroelectric layer)
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 초전층의 두께는 7
4 4
제 1 항에 있어서,상기 초전층의 작동 온도 범위는 298 K 내지 448 K 범위 내인 초전층
5 5
제 1 항에 있어서,상기 초전층의 작동 전압의 크기는 0
6 6
서로 적어도 일부가 대향하는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고,상기 화합물은 스페이스 그룹 P42/nmc의 tetragonal-상(phase)의 결정질을 포함하며, 상기 tetragonal-상과 스페이스 그룹 Pca21의 orthorhombic-상 사이의 전계 유도 상전이에 의한 이중 이력 루프 특성을 갖는 반강유전성 거동을 나타내는 초전층(pyroelectric layer);[화학식 1]Hf1-xZrxO2 이고,0
7 7
삭제
8 8
제 6 항에 있어서,상기 초전층의 두께는 7
9 9
제 6 항에 있어서,상기 초전층의 작동 온도 범위는 298 K 내지 448 K 범위 내인 에너지 하베스팅 소자
10 10
제 6 항에 있어서,상기 초전층의 작동 전압의 크기는 0
11 11
제 6 항에 있어서,상기 초전층이 상기 제 1 열원 및 상기 제 2 열원에 교대로 열교환이 이루어지도록 조절하는 스위치를 더 포함하는 에너지 하베스팅 소자
12 12
제 6 항에 있어서,상기 제 1 열원 또는 상기 제 2 열원은 각각 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극에 접촉하여 상기 초전층과 열교환이 이루어지는 에너지 하베스팅 소자
13 13
제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 통해 상기 초전층으로부터 생성된 전기에너지를 저장하는 저장소를 더 포함하는 에너지 하베스팅 소자
14 14
제 6 항에 있어서,상기 초전층은 복수의 초전층들을 포함하며, 상기 복수의 초전층들은 각각 Zr의 함유량이 다르거나 상기 복수의 초전층들 사이에 전극이 삽입된 에너지 하베스팅 소자
15 15
제 14 항에 있어서,상기 복수의 초전층들은 그 사이에 유전 물질 및 전도성 물질 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 채워지는 에너지 하베스팅 소자
16 16
서로 적어도 일부가 대향하는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고,상기 화합물은 스페이스 그룹 P42/nmc의 tetragonal-상(phase)의 결정질을 포함하며, 상기 tetragonal-상과 스페이스 그룹 Pca21의 orthorhombic-상 사이의 전계 유도 상전이에 의한 이중 이력 루프 특성을 갖는 반강유전성 거동을 나타내는 초전층(pyroelectric layer);[화학식 1]Hf1-xZrxO2 이고, 0
17 17
삭제
18 18
제 16 항에 있어서, 상기 초전층의 두께는 7
19 19
제 16 항에 있어서,상기 초전층의 작동 온도 범위는 298 K 내지 448 K 범위 내인 전기열량 냉각 소자
20 20
제 16 항에 있어서,상기 초전층의 작동 전압의 크기는 0
21 21
제 16 항에 있어서,상기 초전층이 상기 제 1 열원 및 상기 제 2 열원에 교대로 열교환이 이루어지도록 조절하는 스위치를 더 포함하는 전기열량 냉각 소자
22 22
제 16 항에 있어서,상기 제 1 열원 또는 상기 제 2 열원은 각각 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극에 접촉하여 상기 초전층과 열교환이 이루어지는 전기열량 냉각 소자
23 23
제 16 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 통해 상기 초전층으로부터 생성된 전기에너지를 저장하는 저장소를 더 포함하는 전기열량 냉각 소자
24 24
제 16 항에 있어서,상기 초전층은 복수의 초전층들을 포함하며, 상기 복수의 초전층들은 각각 Zr의 함유량이 다르거나 상기 복수의 초전층들 사이에 전극이 삽입된 전기열량 냉각 소자
25 25
제 24 항에 있어서,상기 복수의 초전층들은 그 사이에 유전 물질 및 전도성 물질 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 채워지는 전기열량 냉각 소자
26 26
기판상에 형성된 복수의 회로들을 포함하는 모놀리식(monolithic) 소자로서,상기 복수의 회로들은, 하기 화학식 1로 표시되는 제 1 화합물을 포함하고, 상기 제 1 화합물은 스페이스 그룹 P42/nmc의 tetragonal-상(phase)의 결정질을 포함하며, 상기 tetragonal-상과 스페이스 그룹 Pca21의 orthorhombic-상 사이의 전계 유도 상전이에 의한 이중 이력 루프 특성을 갖는 반강유전성 거동을 나타내는 초전층(pyroelectric layer)을 포함하는 에너지 하베스팅 소자부;하기 화학식 1로 표시되는 제 2 화합물을 포함하고, 상기 제 2 화합물은 스페이스 그룹 P42/nmc의 tetragonal-상(phase)의 결정질을 포함하며, 상기 tetragonal-상과 스페이스 그룹 Pca21의 orthorhombic-상 사이의 전계 유도 상전이에 의한 이중 이력 루프 특성을 갖는 반강유전성 거동을 나타내는 초전층(pyroelectric layer)을 포함하는 전기열량 냉각 소자부;[화학식 1]Hf1-xZrxO2 이고, 0
27 27
삭제
28 28
제 26 항에 있어서,상기 제 1 전자 회로부 및 상기 제 2 전자 회로부는 단일한 공통 회로로 구현된 모놀리식 소자
29 29
제 26 항에 있어서,상기 에너지 하베스팅 소자부 및 상기 전기열량 냉각 소자부 중 적어도 어느 하나는 상기 제어부의 전계 변화 또는 온도 변화를 조절하는 시퀀스를 통해 조절되는 모놀리식 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.