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전자 축적을 이용한 4H-실리콘 카바이드 SBR 및 그의 제조방법(4H-Silicon Carbide Super Barrier Rectifier using accumulation N layer and method for manufacturing thereof)

  • 기술번호 : KST2016011787
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트렌치 구조의 전자 축적을 이용한 4H-실리콘 카바이드 SBR(Super Barrier Rectifier) 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기저에 실리콘 카바이드(Silicon Carbide; SiC)층을 먼저 형성하고, 그 위에 N 형 에피층(epi region)과 P-base층을 순차로 형성한 후, P-base층의 일측 부분을 에피층과 맞닿을 만큼 식각하여 트렌치(trench) 구조를 형성하고, P-base층과 상기 트렌치 구조와 맞닿은 일측 벽면에 경사각 이온주입(tilt-implantation) 공정을 이용하여 축적 N 층(accumulation N layer)을 형성한다. 다음에 축적 N 층과 에피층과 맞닿은 트렌치 구조를 따라 산화물 및 그 위에 폴리실리콘(Poly Si)을 증착하고 P-base층부터 폴리실리콘 영역에 이르는 최상단을 금속으로 증착함으로써 4H-SiC SBR을 제조한다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01L 29/16(2013.01) H01L 29/16(2013.01) H01L 29/16(2013.01) H01L 29/16(2013.01)
출원번호/일자 1020140175604 (2014.12.09)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1661551-0000 (2016.09.26)
공개번호/일자 10-2016-0069701 (2016.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20160930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광수 대한민국 경기도 고양시 일산서구
2 송길용 대한민국 충청남도 천안시 동남구
3 조두형 대한민국 경기도 파주시 가람로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-1195678-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0070068-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0818169-72
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0081160-74
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0180742-81
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0281960-18
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0387466-27
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2016.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0064063-93
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0501216-73
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0501214-82
12 등록결정서
Decision to grant
2016.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0672058-67
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기저에 실리콘 카바이드(Silicon Carbide; SiC)층을 형성하고, 상기 실리콘 카바이드층 위에 N 형 에피층(epi region) 형성하고, 상기 에피층 위에 P-base층을 형성하는 단계; 상기 P-base층의 일측 부분을 상기 에피층과 맞닿을 만큼 식각하여 트렌치(trench) 구조를 형성하는 단계; 상기 P-base층의 상단 및 상기 트렌치 구조를 통해서 노출된 에피영역의 상단에 마스크(Mask)를 씌우는 단계; 상기 P-base층과 상기 트렌치 구조와 맞닿은 일측 벽면에 경사각 이온주입(tilt-implantation) 공정을 이용하여 축적 N 층(accumulation N layer)을 형성하는 단계; 상기 축적 N 층과 상기 에피층과 맞닿은 상기 트렌치 구조를 따라 산화물을 증착시키고, 상기 산화물 위에 폴리실리콘(Poly Si)을 증착하는 단계; 및 상기 P-base층부터 상기 폴리실리콘이 증착된 영역에 이르는 상단을 금속으로 증착하는 단계;를 포함하는 4H-실리콘 카바이드(SiC) SBR(Super Barrier Rectifier) 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 축적 N 층의 도핑 농도에 따라 온상태 전압강하를 유도하는 것을 특징으로 하는 4H-실리콘 카바이드 SBR 소자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 및 폴리실리콘을 증착한 단계 이후에 이온주입 공정을 이용하여 상기 축적 N 층의 상단에 N+ 소스(source)를 형성하는 단계를 더 포함하는 4H-실리콘 카바이드 SBR 소자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 N+ 소스 영역에 의해 순방향 동작시 전자의 이동도가 향상되는 것을 특징으로 하는 4H-실리콘 카바이드 SBR 소자의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 전자의 이동도에 따라 순방향 동작시 전압 강하의 수준이 유지되는 것을 특징으로 하는 4H-실리콘 카바이드 SBR 소자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 역방향 동작시 상기 트렌치 구조로 장벽이 높아져 누설 전류가 감소되는 것을 특징으로 하는 4H-실리콘 카바이드 SBR 소자의 제조방법
7 7
실리콘 카바이드(Silicon Carbide; SiC) 기판; 상기 SiC 기판 위에 형성된 N 형 에피층(epi region);상기 N형 에피층 위에 형성된 P-base층;상기 P-base층 위에 형성된 금속;상기 P-base층의 일측 부분을 식각하여 상기 N 형 에피층까지 소정 두께로 형성된 축적 N 층(accumulation N layer); 및 상기 식각된 P-base층의 일측 부분에서 상기 축적 N 층을 제외한 부분에 증착된 산화물 및 폴리실리콘(Poly Si);을 포함하되, 상기 축적 N 층으로 인해 트렌치(trench) 구조의 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 4H-SiC SBR(Super Barrier Rectifier) 소자
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 축적 N 층의 도핑 농도에 따라 온상태 전압강하를 유도하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC SBR 소자
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 축적 N 층과 상기 금속 사이에 N+ 소스(source)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC SBR 소자
10 10
제 9 항에 있어서,상기 N+ 소스 영역에 의해 순방향 동작시 전자의 이동도가 향상되고, 상기 전자의 이동도에 따라 전압 강하의 수준을 유지하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC SBR 소자
11 11
제 7 항에 있어서, 역방향 동작시 상기 트렌치 구조로 채널이 형성되어 누설 전류가 감소되는 것을 특징으로 하는 4H-SiC SBR 소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 정보통신기술인력양성 정보통신용 아날로그IP 기술 개발 (Development of Analog IP Techniques for ICT)