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전극 기판을 형성하는 단계,상기 전극 기판 위에 양자점 및 상기 양자점을 보호하는 제1 리간드를 포함하는 양자점 용액을 도포하여 양자점층을 형성하는 단계,상기 양자점층에 제2 리간드를 공급하여 상기 제1 리간드를 상기 제1 리간드보다 길이가 짧은 제2 리간드로 치환하는 단계,상기 제1 리간드가 상기 제2 리간드로 치환된 상기 양자점층을 세척액으로 세척하는 단계, 그리고, 상기 양자점층 위에 원자층 증착법으로 원자층을 증착하는 단계를 포함하고,상기 원자층은 비정질 알루미나(Al2O3)를 포함하는 양자점 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 양자점은 황화납(PbS) 양자점을 포함하는 양자점 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 전극 기판을 형성하는 단계는실리콘 기판 위에 실리콘 산화막을 형성하는 단계,상기 실리콘 산화막 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 서로 이격하여 형성하는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터의 제조 방법
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제5항에서,상기 실리콘 기판을 도핑하여 상기 실리콘 기판을 게이트 전극으로 이용하는 단계를 더 포함하는 양자점 트랜지스터의 제조방법
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제5항에서,상기 원자층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 양자점 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 원자층 증착법의 횟수를 조절하여 상기 원자층에 의한 특성 변화 정도를 조절하는 양자점 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,스핀 코팅 공정을 이용하여 상기 양자점 용액을 상기 전극 기판 위에 도포하는 양자점 트랜지스터의 제조 방법
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