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유기발광 다이오드 및 그 제조방법(Organic light emitting diode and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016011829
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 유기발광 다이오드는기판, 상기 기판 상에 배치된 나노 구조체들, 상기 나노 구조체들 상에 배치된 전사 가능한 박막 및 상기 나노 구조체들 사이에 배치되는 에어 갭을 포함하는 광 산란 구조체, 상기 박막을 덮고, 상기 박막보다 더 큰 두께를 갖는 평탄층, 상기 평탄층 상에 배치된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 배치된 유기 발광층, 및상기 유기 발광층 상에 배치된 제 2 전극을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 21/764 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01)
출원번호/일자 1020150128498 (2015.09.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0070673 (2016.06.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140176126   |   2014.12.09
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신진욱 대한민국 대전 유성 가정로*
2 이종희 대한민국 대전유성 노은로 ***
3 이정익 대한민국 대전시 유성구
4 조현수 대한민국 대전광역시 서구
5 한준한 대한민국 대전시 유성구
6 문제현 대한민국 대전광역시 유성구
7 조남성 대한민국 대전광역시 유성구
8 조두희 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0882612-96
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-1107076-73
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0810894-31
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치된 나노 구조체들, 상기 나노 구조체들 상에 배치된 박막, 및 상기 나노 구조체들 사이에 배치되는 에어 갭을 포함하는 광 산란 구조체;상기 박막을 덮고, 상기 박막보다 더 큰 두께를 갖는 평탄층;상기 평탄층 상에 배치된 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 배치된 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 배치된 제 2 전극을 포함하는 유기발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체들은 입자 형태 또는 라인 형태를 갖는 유기발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체들의 폭은 50nm 내지 3000nm이고, 상기 나노 구조체들 사이의 거리는 50nm 내지 3000nm인 유기발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,상기 박막은 그래핀, 이황화 몰리브덴 및 황화텅스텐 중 어느 하나를 포함하는 유기발광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서,상기 박막은 0
6 6
기판 상에 나노 구조체들을 형성하는 것;상기 나노 구조체들 상에 박막을 전사하여, 상기 나노 구조체들 사이에 에어 갭을 형성하는 것; 상기 박막을 덮는 평탄층을 형성하는 것;상기 평탄층 상에 제 1 전극을 형성하는 것; 및상기 제 1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 것을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 나노 구조체들 상에 상기 박막을 전사하는 것은:씨드막에 상기 박막을 성장시키는 것;상기 박막을 씨드막으로부터 분리하는 것;상기 나노 구조체들 상에 상기 박막을 전사하는 것; 및상기 박막에 열처리하는 것을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 평탄층은 상기 박막보다 두껍게 형성되는 유기발광 다이오드의 제조 방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 박막은 그래핀, 이황화 몰리브덴 및 황화텅스텐 중 어느 하나를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원 한국전자통신연구원 그래핀 소재부품기술개발사업 그래핀 소재의 OLED 투명전극과 박막봉지 적용을 위한 기판 사이즈 5.5세대 이상의 그래핀 필름 및 OLED 소자/패널 기초 및 응용 기술 개발