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다층 박막 증착 장치의 다층 박막 증착 방법(method for depositing multi-thin film of deposition apparatus)

  • 기술번호 : KST2016011898
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 다층 박막 증착 장치를 개시한다. 그의 장치는, 기판을 로딩하는 로딩 챔버와, 상기 기판을 언로딩하는 언로딩 챔버와, 상기 기판 상에 피처리물을 증착시키기 위한 플라즈마를 유도하는 적어도 하나의 스퍼터 건과, 상기 기판과 상기 스퍼터 건 사이에 배치된 유도 결합 플라즈마 튜브들을 구비하고, 상기 기판 상에 제 1 산화물/금속/제 2 산화물의 피 처리물에 대한 연속 증착 공정을 수행하기 위해 상기 로딩 챔버와 상기 언로딩 챔버 사이에 일라인으로 연결된 제 1 공정 챔버, 제 2 공정 챔버, 제 3 공정 챔버를 포함하는 복수개의 공정 챔버들과, 상기 로딩 챔버에서 상기 언로딩 챔버까지 상압보다 낮은 진공압을 제공하기 위해 상기 로딩 챔버와 제 1 공정 챔버에 공통으로 연결된 제 1 펌프와, 상기 제 2 공정 챔버에 단독으로 연결된 제 2 펌프와, 상기 언로딩 챔버와 상기 제 3 공정 챔버에 공통으로 연결된 제 3 펌프로 이루어진 진공 펌프들과, 상기 제 1 공정 챔버 및 상기 제 3 공정 챔버에 산소를 공급하는 산소 공급부들을 포함한다.
Int. CL C23C 14/54 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 28/00 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01)
CPC C23C 14/56(2013.01) C23C 14/56(2013.01) C23C 14/56(2013.01) C23C 14/56(2013.01) C23C 14/56(2013.01) C23C 14/56(2013.01) C23C 14/56(2013.01)
출원번호/일자 1020160068303 (2016.06.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0072076 (2016.06.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0126282 (2011.11.29)
관련 출원번호 1020110126282
심사청구여부/일자 Y (2016.09.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정우석 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0530314-18
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0919391-81
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0866742-28
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0105596-53
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0105597-09
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0325908-56
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0552110-51
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.06.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0552111-07
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0468731-36
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번호 청구항
1 1
기판을 로딩하는 로딩 챔버;상기 기판을 언로딩하는 언로딩 챔버;상기 기판 상에 플라즈마를 유도하는 적어도 하나의 스퍼터 건과, 상기 기판 및 상기 스퍼터 건 사이에 배치된 유도 결합 플라즈마 튜브들을 각각 구비하여 상기 로딩 챔버와 상기 언로딩 챔버 사이에 일라인으로 연결된 제 1 공정 챔버, 제 2 공정 챔버, 및 제 3 공정 챔버;상기 제 1 공정 챔버, 상기 제 2 공정 챔버, 및 상기 제 3 공정 챔버에 각기 연결되는 제 1 펌프, 제 2 펌프, 및 제 3 펌프; 및상기 제 2 공정 챔버를 제외한 상기 제 1 공정 챔버 및 상기 제 3 공정 챔버에 산소를 공급하는 산소 공급부들을 포함하는 다층 박막 증착 장치의 다층 박막 증착 방법에 있어서:상기 기판을 상기 제 1 공정 챔버, 상기 제 2 공정 챔버, 및 상기 제 3 공정 챔버에 순차적으로 제공하여 상기 기판 상에 제 1 산화물, 금속, 및 제 2 산화물을 연속적으로 증착하는 단계를 포함하되,상기 제 1 공정 챔버의 압력과 제 3 공정 챔버의 압력은 서로 동일하고, 상기 산소공급 부로부터 제공되는 상기 산소에 의해 상기 제 2 공정 챔버의 압력보다 10배로 높은 다층 박막 증착 장치의 다층 박막 증착 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 공정 챔버의 압력은 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 공정 챔버, 상기 제 2 공정 챔버, 및 상기 제 3 공정 챔버는 상기 기판 상에 실리콘 산화막, 금속, 및 실리콘 산화막을 연속적으로 증착하는 다층 박막 증착 장치의 다층 박막 증착 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 공정 챔버, 상기 제 2 공정 챔버, 및 상기 제 3 공정 챔버는 상기 기판 상에 세라믹, 금속, 및 세라믹을 연속적으로 증착하는 다층 박막 증착 장치의 다층 박막 증착 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 공정 챔버, 상기 제 2 공정 챔버, 및 상기 제 3 공정 챔버는 상기 제 1 산화막과, 상기 금속과, 상기 제 2 산화막의 증착 때마다 상기 기판을 100도 이상으로 가열하는 다층 박막 증착 장치의 다층 박막 증착 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국산업기술평가관리원 정보통신산업원천기술개발사업 윈도우 일체형 30인치급 터치센서 개발