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고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법(MANUFACTURING METHOD OF HIGH DENSITY CuGa TARGET)

  • 기술번호 : KST2016011946
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Ga: 15~25 중량%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 CuGa 분말을 200~320℃의 온도에서 1~24시간 동안 열처리 하는 단계; 및 상기 CuGa 분말을 기판에 저온분사하여 CuGa 타겟을 형성하는 단계를 포함하는 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) C23C 24/04 (2006.01)
CPC C23C 24/04(2013.01) C23C 24/04(2013.01)
출원번호/일자 1020140178432 (2014.12.11)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1664824-0000 (2016.10.05)
공개번호/일자 10-2016-0071535 (2016.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20161014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-1205659-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0079877-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0323234-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0638620-84
6 등록결정서
Decision to grant		 2016.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0584077-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ga: 15~25 중량%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 CuGa 분말을 200~320℃의 온도에서 1~24시간 동안 열처리 하는 단계; 및상기 CuGa 분말을 기판에 저온분사하여 CuGa 타겟을 형성하는 단계를 포함하는 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 CuGa 분말의 입도는 5~90 ㎛인 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 진공 또는 질소, 아르곤 및 헬륨으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 불활성 가스 분위기에서 실시하는 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 열처리 후, 상기 CuGa 분말을 상온까지 냉각하는 단계를 추가적으로 포함하는 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 저온분사 공정 중에 상기 CuGa 분말을 50~320℃의 온도로 예열하는 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 Al, Cu 및 Fe로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 합금인 고밀도 CuGa 타겟의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 CuGa 타겟을 형성한 후, 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업부 (주)창성인천지점 산업핵심기술개발사업 고효율 광전흡수변환 금속합금 타겟 개발 Ⅲ(1/2)