1 |
1
기판,상기 기판상에 형성되어 멤리스터Memristor)와 상기 멤리스터의 온(on) 혹은 오프(off) 상태에 따라 광 방출이 제어되는 다이오드(diode)가 연계되어 단일 액티브 레이어(Active layer)된 반도체 레이어 섹션 및 상기 반도체 레이어 섹션 상에 배치된 전극층을 포함하고,상기 다이오드는 광별 다수의 양자점을 포함함을 특징으로 하며, 상기 반도체 레이어 섹션은,Ru(bpy)3]2+(PF6)2, poly(methyl methacrylate), Acetonitrile과 N-N Dimethylformalehye 이 혼합되어 제작됨을 특징으로 하며, 상기 반도체 레이어 섹션은, 전류(I)-전압(V) 특성 곡선에서 턴 온상태에서 턴 오프 상태로 진행할 때 전류가 0암페어[A]를 가지는 지점의 주변 곡선이 선형성을 가지고 0보다 큰 기울기를 가지며, 턴 오프 상태에서 턴 온 상태로 진행할 때 전류가 0 암페어[A]를 가지는 지점의 주변 곡선이 선형성을 가지며 0보다 큰 기울기를 가지는 광 저장 장치
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 다이오드는,발광 다이오드(Light Emitting Device, LED) 혹은 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)를 포함하는 것으로, 상기 멤리스터와 전기적으로 연계되어 상기 멤리스터의 저항 상태와 같이 제어됨을 특징으로 하는 광 저장 장치
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 다이오드는, 주석산 아연(zinc stannate) 산화물이 혼합되어 제작됨을 특징으로 하는 광 저장 장치
|
5 |
5
제1항에 있어서, 상기 멤리스터는,상기 전극층에 기설정된 이상의 전압이 인가되는 경우 턴온(turn on)상태를 저장하여 상기 다이오드로부터 광이 방출되도록 제어함을 특징으로 하는 광 저장 장치
|
6 |
6
제1항에 있어서, 상기 멤리스터는,상기 전극층에 기설정된 이하의 전압이 인가되는 경우 턴오프(turn off)상태를 저장하여 상기 다이오드로부터 광 방출이 차단되도록 제어함을 특징으로 하는 광 저장 장치
|
7 |
7
제1항에 있어서, 상기 다수의 양자점은,적색광 발산 양자점(Red QDs), 황색광 발산 양자점(Yellow QDs) 및 녹색광 발산 양자점(Green QDs)을 포함하고, 크기에 따라 광흡수 파장이 제어됨을 특징으로 하는 광 저장 장치
|
8 |
8
제1항에 있어서, 상기 다이오드는,픽셀별 첨가된 양자점 소재의 해당 광에 따라 적응적으로 색을 저장 및 발산 가능함을 특징으로 하는 광 저장 장치
|