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기판; 및상기 기판 상에 형성된 나노구조체;를 포함하고,상기 나노구조체는 코어-쉘 구조를 포함하고, 상기 코어는 나노와이어 또는 나노로드이며, 상기 쉘은 양자우물, 양자점 및 양자선 중 1종 이상인 양자구조를 포함하고, 상기 나노구조체는 상기 나노구조체의 성장 방향에 따라 상부 단면이 좁은 테이퍼진 구조이며,상기 나노구조체는 상기 나노구조체의 성장 방향 축을 기준으로 0°초과 10°이하의 테이퍼 각을 갖고,상기 쉘의 두께는 상기 나노구조체의 성장 방향에 따라, 점진적으로 증가하는 것인,광자 다이오드
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제1항에 있어서,상기 코어 및 상기 쉘은, 각각, 상기 나노구조체의 성장 방향에 따라 상부 단면이 좁은 테이퍼진 구조이고, 상기 나노구조체의 성장 방향 축을 기준으로 상기 코어의 테이퍼 각이 상기 쉘의 테이퍼 각보다 더 큰 것인, 광자 다이오드
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제1항에 있어서,상기 코어 및 상기 쉘은, III-V족 반도체 물질을 포함하는 것인, 광자 다이오드
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제6항에 있어서,상기 III-V족 반도체 물질은, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, AlGaN, AlGaP, AlGaAs, AlGaSb, GaInN, GaInP, GaInAs, GaInSb, AlInN, AlInP, AlInAs, AlInSb, AlGaInN, AlGaInP, AlGaInAs 및 AlGaInSb 중 1종 이상인 것인, 광자 다이오드
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제1항에 있어서,상기 쉘은, 단일 양자구조 또는 복수의 주기를 갖는 다중 양자구조를 포함하고, 상기 단일 양자구조는 1 nm 내지 15 nm의 두께를 갖는 것인, 광자 다이오드
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제1항에 있어서,상기 쉘은, 에너지 밴드 갭이 상이한 2종 이상의 III-V족 반도체 물질을 포함하는 것인, 광자 다이오드
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제9항에 있어서,상기 쉘은, AlN/AlGaN, AlN/GaN, AlN/InGaN, AlN/InN, AlN/AlGaInN, AlGaN/GaN, AlGaN/InGaN, AlGaN/AlGaInN, GaN/InGaN, GaN/InN, AlGaInN/InGaN, AlGaInN/InN, AlP/AlGaP, AlP/GaP, AlP/InGaP, AlP/InP, AlP/AlGaInP, AlGaP/GaP, AlGaP/InGaP, AlGaP/AlGaInP, GaP/InGaP, GaP/InP, AlGaInP/InGaP, AlGaInP/InP, AlAs/AlGaAs, AlAs/GaAs, AlAs/InGaAs, AlAs/InAs, AlAs/AlGaInAs, AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs, AlGaAs/AlGaInAs, GaAs/InGaAs, GaAs/InAs, AlGaInAs/InGaAs, AlGaInAs/InAs, AlSb/AlGaSb, AlSb/GaSb, AlSb/InGaSb, AlSb/InSb, AlSb/AlGaInSb, AlGaSb/GaSb, AlGaSb/InGaSb, AlGaSb/AlGaInSb, GaSb/InGaSb, GaSb/InSb, AlGaInSb/InGaSb, 및 AlGaInSb/InSb 중 1종 이상인 것인, 광자 다이오드
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제1항에 있어서,상기 쉘은, 1 nm 내지 1000 nm 두께를 갖는 것인, 광자 다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노구조체는, 10 nm 내지 10 ㎛의 직경, 100 nm 내지 100 ㎛의 길이 및 1 내지 100의 종횡비를 갖는 것인, 광자 다이오드
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제1항, 제4항 및 제6항 내지 제12항 중 어느 한 항의 광자 다이오드를 포함하는 광전자 디바이스
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제1 물질의 시드를 기판 상에 형성하는 단계;상기 제1 물질의 시드를 성장시켜 제1 물질 나노구조체 코어를 형성하는 단계; 및 상기 제1 물질 나노구조체 코어 측면 상에 제2 물질 쉘을 형성하여 제1 물질 나노구조체 코어/제2 물질 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 나노구조체 코어는 나노와이어 또는 나노로드이고, 상기 쉘은 양자우물, 양자점 및 양자선 중 1종 이상인 양자구조를 포함하며, 상기 나노구조체는 상기 나노구조체의 성장 방향에 따라 상부 단면이 좁은 테이퍼진 구조이고상기 나노구조체는 상기 나노구조체의 성장 방향 축을 기준으로 0°초과 10°이하의 테이퍼 각을 가지며,상기 쉘의 두께는 상기 나노구조체의 성장 방향에 따라, 점진적으로 증가하는 것인, 광자 다이오드의 제조방법
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