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p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법 및 이를 이용한 p형 오믹 전극의 제조 방법(METHOD OF FORMING A P-TYPE SEMICONDUCTOR THIN LAYERED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING A P-TYPE OHMIC ELECTRODE)

  • 기술번호 : KST2016012297
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법에 있어서, 반극성 또는 비극성을 갖는 평면이 노출된 기판을 준비한다. 상기 평면 상에 제1 온도에서 Ⅲ족 금속 소스 및 제1 유량을 갖는 질소 소스를 공급하여 제1 표면 거칠기를 갖는 제1 반도체 박막을 형성한다. 이후, 상기 Ⅲ족 금속 소스 및 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량의 질소 소스를 공급하여 상기 제1 반도체 박막 상에 상기 제1 표면 거칠기보다 큰 제2 표면 거칠기를 갖는 제2 반도체 박막을 형성한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/00(2013.01) H01L 33/00(2013.01) H01L 33/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140183164 (2014.12.18)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1636625-0000 (2016.06.29)
공개번호/일자 10-2016-0074183 (2016.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20160705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 김성기 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1232107-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0551772-54
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-1007376-04
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1007365-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0148490-76
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0396616-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0396641-22
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0452415-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반극성 또는 비극성을 갖는 평면이 노출된 기판을 준비하는 단계;상기 평면 상에 제1 온도에서 Ⅲ족 금속 소스 및 제1 유량을 갖는 질소 소스를 공급하여 제1 표면 거칠기를 갖는 제1 반도체 박막을 형성하는 단계; 및상기 Ⅲ족 금속 소스 및 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량의 질소 소스를 공급하여 상기 제1 반도체 박막 상에 상기 제1 표면 거칠기보다 큰 제2 표면 거칠기를 가짐에 따라, 상기 반극성 또는 비극성을 갖는 평면과 다른 새로운 평면을 노출시키는 제2 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 유량은 상기 제1 유량의 반 이하인 것을 특징으로 하는 p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 박막을 형성하는 단계는 상기 제1 온도보다 낮으며 100˚C 이상의 온도차를 갖는 제2 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 박막을 형성하는 단계는 식각 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 식각 가스는 수소 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 반도체 박막 구조물의 형성 방법
6 6
반극성 또는 비극성을 갖는 평면이 노출된 기판을 준비하는 단계;상기 평면 상에 제1 온도에서 Ⅲ족 금속 소스 및 제1 유량을 갖는 질소 소스를 공급하여 제1 표면 거칠기를 갖는 제1 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 Ⅲ족 금속 소스 및 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량의 질소 소스를 공급하여 상기 제1 반도체 박막 상에 상기 제1 표면 거칠기보다 큰 제2 표면 거칠기를 가짐에 따라, 상기 반극성 또는 비극성을 갖는 평면과 다른 새로운 평면을 노출시키는 제2 반도체 박막을 형성하는 단계; 및상기 제2 반도체 박막 상에 상기 제2 반도체 박막과 오믹 컨택을 이루는 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 p형 오믹 전극의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 유량은 상기 제1 유량의 반 이하인 것을 특징으로 하는 p형 오믹 전극의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 제2 반도체 박막을 형성하는 단계는 상기 제1 온도보다 100˚C 이상의 온도차를 갖는 제2 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 p형 오믹 전극의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 제2 반도체 박막을 형성하는 단계는 수소 가스를 식각 가스로서 공급하는 것을 특징으로 하는 p형 오믹 전극의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 금속층은 상기 반극성 또는 비극성 평면과 다른 상기 제2 반도체 박막의 결정면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 p형 오믹 전극의 제조방법
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