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정션 온도의 동적특성을 이용한 반도체 소자의 검사 장치 및 방법(Apparatus and method for testing semiconductor device using dynamic characteristics of junction temperature)

  • 기술번호 : KST2016012473
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정션 온도의 동적특성을 이용한 반도체 소자의 검사 장치 및 방법에 관한 것으로, 반도체 소자가 갖는 정션 온도의 동적특성을 이용하여 반도체 소자에 형성되는 접합 부분의 양불량을 검사하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 접합 부분을 갖는 반도체 소자에 입력 전류를 인가한다. 입력 전류의 인가 후 접합 부분에 온도의 변화가 발생되는 일정 시점에서 입력 전류에 대해서 반도체 소자에서 출력되는 출력 전압의 변화량을 측정한다. 그리고 출력 전압의 변화량과 기준 전압의 변화량을 비교하여 반도체 소자의 접합 부분의 양불량을 판단한다.
Int. CL G01R 19/165 (2006.01) G01R 31/04 (2006.01) G01R 31/26 (2014.01) G01R 31/28 (2006.01)
CPC G01R 31/70(2013.01) G01R 31/70(2013.01) G01R 31/70(2013.01) G01R 31/70(2013.01) G01R 31/70(2013.01) G01R 31/70(2013.01) G01R 31/70(2013.01) G01R 31/70(2013.01)
출원번호/일자 1020150181480 (2015.12.18)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0076460 (2016.06.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140184411   |   2014.12.19
대한민국  |   1020140184412   |   2014.12.19
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 마병진 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-1242389-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0646009-10
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1129239-54
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1247294-90
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0044111-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0152363-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0152362-13
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0397442-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
칩 본딩 부분을 갖는 반도체 소자에 입력 전류를 인가하는 인가 단계;상기 입력 전류의 인가 후 상기 칩 본딩 부분에 온도의 변화가 발생되는 일정 시점에서 상기 입력 전류에 대해서 상기 반도체 소자에서 출력되는 출력 전압의 변화량을 측정하는 측정 단계; 및상기 출력 전압의 변화량과 기준 전압의 변화량을 비교하여 상기 반도체 소자의 칩 본딩 부분의 양불량을 판단하는 판단 단계;를 포함하고,상기 일정 시점은 상기 입력 전류의 인가 후 상기 칩 본딩 부분으로 열이동이 발생하는 시점인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 측정 단계에서,상기 일정 시점은 상기 반도체 소자의 열시정수 분석을 통해서 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 인가 단계는,상기 반도체 소자에 제1 전류를 인가하는 단계;상기 반도체 소자에 제1 전류의 세기와 차이가 있는 입력 전류를 인가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 전류가 상기 반도체 소자의 구동 전류라면, 상기 입력 전류는 센싱 전류이고,상기 제1 전류가 센싱 전류라면, 상기 입력 전류는 구동 전류인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
6 6
제1항에 있어서상기 기준 전압의 변화량은 상기 입력 전류에 대해서 상기 일정 시점에서 양품의 반도체 소자에서 출력되는 출력 전압의 변화량인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 판단 단계 이후에 수행되는,상기 판단 결과에 따라 상기 반도체 소자를 양품과 불량품으로 분류하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 인가 단계는,상기 반도체 소자에 구동 전류를 인가하면서 열 또는 습도와 같은 스트레스를 인가하는 단계;상기 스트레스 인가 중인 반도체 소자에 상기 구동 전류의 세기와 차이가 있는 입력 전류로 스위칭하여 인가하는 인가 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
9 9
칩 본딩 부분을 갖는 반도체 소자에 입력 전류를 인가하는 전류 인가부;상기 입력 전류의 인가 후 상기 칩 본딩 부분에 온도의 변화가 발생되는 일정 시점에서 상기 입력 전류에 대해서 상기 반도체 소자에서 출력되는 출력 전압의 변화량을 측정하는 측정부; 및상기 출력 전압의 변화량과 기준 전압의 변화량을 비교하여 상기 반도체 소자의 칩 본딩 부분의 양불량을 판단하는 제어부;를 포함하고,상기 일정 시점은 상기 입력 전류의 인가 후 상기 칩 본딩 부분으로 열이동이 발생하는 시점인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 제어부의 판단 결과에 따라 상기 반도체 소자를 양품과 불량품으로 분류하는 분류부;를 더 포함하는 반도체 소자의 검사 장치
11 11
제9항에 있어서,상기 반도체 소자에 구동 전류를 인가하면서 열 또는 습도와 같은 스트레스를 인가하는 스트레스 인가부;를 더 포함하고,상기 전류 인가부는 스트레스 인가 중인 상기 반도체 소자에 상기 구동 전류를 상기 입력 전류로 스위칭하여 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 장치
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1 WO2016099197 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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