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투명전극 및 투명전극 제조방법(Transparent electrode and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2016012613
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전기전도성이 우수하고, 전하주입효율이 높은 투명전극 및 투명전극 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 투명전극은 지지기판, 지지기판 상에 위치하는 전하이송전극층 및 전하이송전극층 상에 위치하는 전하주입전극층을 포함하고, 전하이송전극층 및 전하주입전극층은 지지기판 내에 적어도 일부가 임베딩되어 있다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020140187042 (2014.12.23)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0077456 (2016.07.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종웅 대한민국 서울특별시 강동구
2 곽민기 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김영민 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1250111-11
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1255160-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0079002-95
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0411647-40
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0765820-54
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0765823-91
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0930830-84
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2017.01.25 수리 (Accepted) 7-1-2017-0003189-10
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0144107-10
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.02.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0144116-10
12 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2017.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0024180-34
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0189971-65
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지기판, 상기 지지기판 상에 위치하는 전하이송전극층; 및상기 전하이송전극층 상에 위치하는 전하주입전극층;을 포함하는 투명전극으로서, 상기 전하이송전극층 및 상기 전하주입전극층은 상기 지지기판 내에 적어도 일부가 임베딩되고, 상기 전하이송전극층은 상기 지지기판 내에 전체가 임베딩되고 금속나노와이어를 포함하여 전하를 이송하는 전극층인 것이고, 상기 전하주입전극층은 상기 지지기판 내에 상면을 제외하고 임베딩되고 전도성 고분자를 포함하여 전하를 주입하는 전극층인 것인 투명전극
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서,상기 지지기판은,폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyether imide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성 에폭시수지 및 이들의 조합으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 투명전극
5 5
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6 6
청구항 1에 있어서,상기 전하이송전극층 및 상기 전하주입전극층 중 적어도 하나는 2개 이상인 투명전극
7 7
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8 8
제조기판 상에 전하주입전극층을 형성하는 단계; 상기 전하주입전극층 상에 전하이송전극층을 형성하는 단계; 상기 전하이송전극층 상에 지지기판을 형성하되, 상기 전하주입전극층 및 상기 전하이송전극층을 상기 지지기판이 임베딩하도록 형성하는 단계; 및 상기 제조기판을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 지지기판을 형성하는 단계는, 상기 지지기판이 상기 전하이송전극층의 전체 및 상기 전하주입전극층 중 상면을 제외하고 임베딩되도록 형성하도록 수행되며,상기 전하이송전극층은 상기 지지기판 내에 전체가 임베딩되고 금속나노와이어를 포함하여 전하를 이송하는 전극층인 것이고, 상기 전하주입전극층은 상기 지지기판 내에 상면을 제외하고 임베딩되고 전도성 고분자를 포함하여 전하를 주입하는 전극층인 것인 투명전극 제조방법
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10 10
청구항 8에 있어서,상기 전하이송전극층을 형성하는 단계 후에, 상기 전하주입전극층 및 상기 전하이송전극층을 패터닝하는 단계를 더 포함하고, 상기 지지기판은 상기 전하주입전극층 및 상기 전하이송전극층의 패터닝 영역을 채우면서 형성되는 것인 투명전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (재)충남테크노파크 (산업부)광역경제권선도사업 (RCMS)충청권 UI/UX 융합부품소재 애로기술 및 예비 인증 지원 사업