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전극 및 그의 제조방법(Electrode and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2016012618
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 신뢰성 높은 전극 및 그의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 전극제조방법에서는, 기판 상에 나노와이어를 도포하여 나노와이어층을 형성하고, 나노와이어층이 패턴영역 및 제거영역을 포함할 때, 패턴영역에서의 나노와이어층 및 기판 사이의 접착력이, 제거영역에서의 나노와이어층 및 기판 사이의 접착력보다 크도록 하는 접착력을 조절한 후에 제거영역을 제거하여 전극이 제조된다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0013(2013.01) H01B 13/0013(2013.01)
출원번호/일자 1020140187046 (2014.12.23)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0077457 (2016.07.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종웅 대한민국 서울특별시 강동구
2 한철종 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 곽민기 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1250134-61
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1255176-39
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0365873-38
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0703596-89
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0703578-67
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0803451-37
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.12.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1200916-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-1200885-94
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0933778-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 나노와이어를 도포하여 나노와이어층을 형성하는 나노와이어층 형성단계; 상기 나노와이어층은 패턴영역 및 제거영역을 포함하고, 상기 패턴영역에서의 상기 나노와이어층 및 상기 기판 사이의 접착력이, 상기 제거영역에서의 상기 나노와이어층 및 상기 기판 사이의 접착력보다 크도록 하는 접착력 조절단계; 및 상기 제거영역을 제거하는 제거단계;를 포함하는 전극제조방법으로서,상기 접착력 조절단계는,상기 패턴영역을 광소결하여 상기 패턴영역에서의 나노와이어를 광소결시켜, 상기 나노와이어층 및 상기 기판 사이의 접착력을 증가시켜 수행되는 것인 전극제조방법
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기판 상에 나노와이어를 도포하여 나노와이어층을 형성하는 나노와이어층 형성단계; 상기 나노와이어층은 패턴영역 및 제거영역을 포함하고, 상기 패턴영역에서의 상기 나노와이어층 및 상기 기판 사이의 접착력이, 상기 제거영역에서의 상기 나노와이어층 및 상기 기판 사이의 접착력보다 크도록 하는 접착력 조절단계; 및 상기 제거영역을 제거하는 제거단계;를 포함하는 전극제조방법으로서,상기 접착력 조절단계는,상기 나노와이어층을 광소결하되, 상기 패턴영역에서의 광소결광량은 상기 제거영역에서의 광소결광량보다 크도록 하여, 상기 패턴영역에서 상기 나노와이어층 및 상기 기판 사이의 접착력을 증가시켜 수행되는 것인 전극제조방법
5 5
청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 제거단계는, 접착물체를 이용하여 상기 제거영역을 상기 기판으로부터 분리하는 단계인 것인 전극제조방법
6 6
청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 제거단계는, 접착력이 조절된 상기 나노와이어층이 형성된 기판을 용액에 침지하고, 물리적 충격을 가하여 수행되는 것인 전극제조방법
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청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 제거된 제거영역에서의 나노와이어는 상기 접착력 조절단계가 수행되기 전의 나노와이어의 평균 종횡비의 50% 내지 100%인 평균 종횡비를 갖는 것인 전극제조방법
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