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내부에 단결정 원료가 수용되는 도가니, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재, 상기 단열재의 외부에 배치되는 석영관, 및 상기 석영관의 외부에 마련되어 도가니를 가열하는 가열수단을 포함하고,상기 도가니는 상대적으로 위쪽에 배치되며 상단에 종자정이 장착되는 상부도가니, 상기 상부도가니와 분리되어 상부도가니 하부에 배치되는 하부도가니를 포함하여 상부도가니와 하부도가니에 각각 원료를 분리 수용하며, 상기 하부도가니 내부의 원료에서 승화된 물질을 상부도가니로 유도하는 유도부를 포함하고,상기 상부도가니 내에는 탄화규소 분말이 수용되고, 상기 하부도가니 내에는 바나듐 분말이 수용되는 반절연 탄화규소 단결정 성장장치
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제 1 항에 있어서,상기 유도부는 상부도가니 하단에 형성되는 관통홀, 및 상기 하부도가니 상단에 설치되어 내부와 연통되고 상기 관통홀을 통해 상부도가니 내측으로 연장되는 적어도 하나 이상의 유도관을 포함하는 반절연 탄화규소 단결정 성장장치
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제 3 항에 있어서,상기 유도관은 도가니의 내면에서 이격되어 도가니의 중심부에 위치하는 반절연 탄화규소 단결정 성장장치
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제 4 항에 있어서,상기 유도관은 상부도가니 내에 수용되는 원료의 충진 높이보다 위쪽으로 연장된 구조의 반절연 탄화규소 단결정 성장장치
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제 5 항에 있어서,상기 유도관과 상기 도가니 내면과의 이격 거리는 아래 수식 (1)의 범위로 설정되는 반절연 탄화규소 단결정 성장장치
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제 6 항에 있어서,상기 상부도가니의 내측 바닥면에서 수직으로 연장되는 유도관의 높이와 상부도가니에 수용된 원료의 충진 높이는 아래 수식 (2)의 범위로 설정되는 반절연 탄화규소 단결정 성장장치
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제 7 항에 있어서,상기 유도관의 내경은 상기 수식 (2)에서 유도관의 높이(D5)가 1
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