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화학 기상 증착법으로 탄화규소 에피 박막을 성장시키기 위한 방법으로서, 반응 장치 내에 탄화규소(SiC) 기판을 장입한 후, 상기 반응 장치 내부를 설정 온도로 승온시키는 승온 단계,상기 승온 단계에서 상기 반응 장치 내부를 승온시키면서 행해지고, 상기 탄화규소 기판 표면을 설정 시간 동안 에칭하는 에칭 단계,상기 에칭 단계가 끝남과 동시에 행해지고, 상기 반응 장치 내에 공정가스인 SiH4 가스와 C3H8 가스를 공급하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계, 및상기 버퍼층이 형성된 후, 설정 온도 및 설정 압력 하에서 공정 가스로서 SiH4 가스와 C3H8 가스를 사용하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 에피 박막을 성장시켜 에피층을 형성하는 에피 박막 성장 단계를 포함하고,상기 에피 박막 성장 단계에서 Si/H 비 범위는 0
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화학 기상 증착법으로 탄화규소 에피 박막을 성장시키기 위한 방법으로서, 반응 장치 내에 탄화규소(SiC) 기판을 장입한 후, 상기 반응 장치 내부를 설정 온도로 승온시키는 승온 단계,상기 승온 단계에서 상기 반응 장치 내부를 승온시키면서 행해지고, 상기 탄화규소 기판 표면을 설정 시간 동안 에칭하는 에칭 단계,상기 에칭 단계가 끝남과 동시에 행해지고, 상기 반응 장치 내에 공정가스인 SiH4 가스와 C3H8 가스를 공급하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계, 및상기 버퍼층이 형성된 후, 설정 온도 및 설정 압력 하에서 공정 가스로서 SiH4 가스와 C3H8 가스를 사용하여 상기 탄화규소(SiC) 기판에 에피 박막을 성장시켜 에피층을 형성하는 에피 박막 성장 단계를 포함하고,상기 버퍼층 형성 단계 및 상기 에피 박막 성장 단계에서 공정 가스로서 염화수소(HCl)가 도입되고,상기 에피 박막 성장 단계에서, Cl/Si 비 범위는 2~3으로 설정되는 탄화규소 에피 박막 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층 형성 단계 및 상기 에피 박막 성장 단계에서 공정 가스로서 염화수소(HCl)가 도입되고,상기 에피 박막 성장 단계에서 Cl/Si 비 범위는 2~3으로 설정되는 탄화규소 에피 박막 성장 방법
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제2항에 있어서,상기 에피 박막 성장 단계에서 Si/H 비 범위는 0
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에피 박막 성장 단계에서, 설정 온도는 1500℃ 내지 1600℃ 범위 내의 온도이며, 설정 압력은 100~150 mbar 범위 내의 압력인 탄화규소 에피 박막 성장 방법
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제5항에 있어서,상기 에피층의 C/Si 비는 1
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 에칭 단계에서 에칭은 상기 반응 장치 내에 수소 또는 수소(H2)와 염화수소(HCl)의 혼합 가스를 공급하여 수소 분위기 하에서 이루어지는 탄화규소 에피 박막 성장 방법
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제5항에 있어서,상기 버퍼층 형성 단계 및 상기 에피 박막 성장 단계에서 도핑 가스로 질소(N2)가 도입되는 탄화규소 에피 박막 성장 방법
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제5항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 승온 단계의 승온과 상기 에칭 단계의 에칭 후 5분 동안 탄화규소 기판과 동일한 도핑 농도를 갖도록 성장되는 탄화규소 에피 박막 성장 방법
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