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기판;상기 기판의 상부에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층의 상부에 형성된 배리어층;상기 배리어층의 상부에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층의 상면 중 일부를 관통하여 형성되고, 상기 배리어층의 상부에 위치되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 위치하고, 상기 게이트 절연층에 의해 상기 배리어층과 이격된 게이트 전극; 및상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층의 상부에 형성되는 쇼트키 전극을 포함하고, 상기 쇼트키 전극과 상기 소스 전극은 상기 드레인 전극을 기준으로 서로 대향되게 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 다이오드와 트랜지스터가 하나의 집적 회로로 구성된 소자인 것을 특징으로 하는, 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 쇼트키 전극은 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 드레인 전극은 다이오드 영역에서 캐소드로 동작하고, 상기 쇼트키 전극은 다이오드 영역에서 애노드로 동작하는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 배리어층에는 상면 중 일부 혹은 전체가 관통된 트렌치가 형성되고, 상기 게이트 절연층 및 상기 게이트 전극은 상기 트렌치의 상부에 삽입되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 배리어층에는 상면 중 일부 혹은 전체가 관통된 전극용 트렌치가 형성되고, 상기 쇼트키 전상기 전극용 트렌치의 상부에 삽입되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 배리어층에 접하는 상기 버퍼층의 계면에 2차원 전자가스(2-DEG) 또는 전자 채널층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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8
제1항에 있어서,상기 버퍼층은 GaN계 물질, AlGaN계 물질, InGaN계 물질 및 AlInGaN계 물질 중 적어도 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자
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9
제1항에 있어서,상기 배리어층은 GaN계 물질, AlGaN계 물질, InGaN계 물질 및 AlInGaN계 물질 중 적어도 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자
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10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 복수의 반도체 소자가 병렬로 배치된 다채널 반도체 소자로서, 하나의 반도체 소자의 쇼트키 전극은 상기 반도체 소자에 인접한 다른 하나의 반도체 소자의 소스 전극에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는, 다채널 반도체 소자
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제10항에 있어서,하나의 반도체 소자의 쇼트키 전극의 일 단부는 상기 다른 하나의 반도체 소자의 소스 전극의 일 단부와 접촉되는 것을 특징으로 하는, 다채널 반도체 소자
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