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Al3C4 분말과 SiC 분말의 혼합 분말을 준비하는 단계;상기 혼합 분말을 도가니의 하부에 장입시키는 단계;상기 도가니의 상부에 SiC 종자정을 장착하는 단계; 및상기 SiC 종자정이 장착된 도가니를 성장 온도로 승온시킨 후, 상기 도가니 내에 장입된 혼합 분말을 승화시켜 단결정을 성장시키는 단계;를 포함하고,상기 혼합 분말에 대한 Al3C4 분말의 함량은 5 내지 10wt% 이고,상기 혼합 분말에 대한 SiC 분말의 함량은 90 내지 95wt% 이고, 상기 SiC 종자정이 장착된 도가니를 성장 온도로 승온시킨 후, 상기 도가니 내에 장입된 혼합 분말을 승화시켜 단결정을 성장시키는 단계;에서,N2 가스를 공급하여 결정다형을 안정화하되,상기 결정다형은 4H인 것인, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 성장 온도는 대기압 상태에서 1,800 내지 2,000℃ 인, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 4 항에 있어서, 상기 성장 온도는 대기압 상태에서 1,850 내지 1,950℃ 인, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단결정의 성장은,1 내지 20torr의 성장 압력으로 유지된 상태에서 수행되는 것인, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 N2 가스는 독립적으로 공급되거나, Ar 가스를 포함하는 불활성 가스와 혼합된 혼합 가스의 형태로 공급되는 것인, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 7 항에 있어서, 상기 불활성 가스에 대한 상기 N2 가스의 비율은 15 내지 25vol% 인, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도가니의 상부에 SiC 종자정을 장착하는 단계; 이후에,상기 도가니를 진공압력 및 1,000℃ 미만으로 가열하여 상기 도가니 내의 불순물을 제거하는 단계;를 더 포함하는, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 9 항에 있어서, 상기 도가니를 진공압력 및 1,000℃ 미만으로 가열하여 상기 도가니 내의 불순물을 제거하는 단계;에서,상기 가열은 2 내지 3시간 동안 수행되는 것인, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도가니의 상부에 SiC 종자정을 장착하는 단계; 이후에,상기 도가니에 Ar 가스를 포함하는 불활성 가스를 주입하여 상기 도가니 내의 공기를 퍼징(purging)하는 단계;를 더 포함하는, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 11 항에 있어서, 상기 도가니에 Ar 가스를 포함하는 불활성 가스를 주입하여 상기 도가니 내의 공기를 퍼징(purging)하는 단계;는,2회 이상 반복 수행하는 것인, P형 탄화규소 단결정 성장방법
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제 1 항 및 제 4 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따라 제조되고, 단일 결정다형을 포함하며, 비저항이 0초과 및 1Ωcm이하인, P형 탄화규소 단결정
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