맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법(MANUFACTURING METHOD OF NANOWIRE ARRAY)

  • 기술번호 : KST2016012822
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 사파이어 또는 실리콘 기판 위에 시드(seed) 질화물을 형성하고, 그 위에 유기나노와이어 패턴 및 이를 템플릿으로 한 유전체나노터널을 형성하고, 이를 유도성장 마스크로 이용하는 것으로, 시드(seed) 질화물로부터 질화물 무기나노와이어를 성장하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명의 특징은 질화물 선택성장이 가능한 물질 중 어느 하나로써 기판을 포함한 베이스층 상에 노즐 프린팅 방법 등을 이용해 유기 나노선 어레이를 템플릿으로 형성하는 단계; 유기 나노선 어레이 상에 스텝 커버리지가 좋은 방법(PECVD, 스퍼터링 등)으로 유전체를 형성하는 단계; 유기 나노선을 제거하여 유전체 나노터널을 형성하는 단계; 유도성장을 위한 시드 결정을 형성하는 단계; 나노선 유도성장을 하는 단계; 유전체를 제거하는 단계를 제공하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020140187927 (2014.12.24)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1686716-0000 (2016.12.08)
공개번호/일자 10-2016-0078569 (2016.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20161229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.24)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황선용 대한민국 전라남도 여수시 소호*길 **-
2 박준혁 대한민국 경기도 고양시 일산동구
3 김종규 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1255204-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2015-0052807-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0089510-84
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0309247-28
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0422446-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0422436-24
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0649745-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
기판 상에 제1시드층을 형성하는 제1시드층형성단계;상기 제1시드층 상에 제1성장마스크층을 형성하는 제1성장마스크층형성단계;상기 제1성장마스크층 상에 유기의 제1나노선을 형성하는 제1나노선형성단계;상기 제1나노선 상에 유전체의 나노마스크층을 형성하는 나노마스크층형성단계;상기 제1성장마스크층, 제1나노선 및 나노마스크층에 대해 식각으로 소정의 시드터널을 형성하는 시드터널형성단계;유기의 상기 제1나노선을 열처리로 제거하여 나노터널을 형성하는 나노터널형성단계;상기 시드터널 내에서 상기 제1시드층으로부터 제2시드층을 형성하는 제2시드층형성단계;상기 제2시드층 상에 제2성장마스크층을 형성하는 제2성장마스크층형성단계;나노유도성장을 위해 상기 제2성장마스크층의 소정 범위에 대해 식각하는 유도성장식각단계;상기 나노터널 내에서, 상기 제2시드층으로부터 유도성장으로 제2나노선을 형성하는 제2나노선형성단계; 및상기 나노마스크층, 제1성장마스크층 및 제2성장마스크층을 제거하는 마스크제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
20 20
제 19항에 있어서,상기 제2나노선은 질화물나노선으로 이루어지고,상기 제2나노선형성단계는,상기 제2시드층으로부터 질화물을 유도성장하여 질화물나노선을 형성하는 것을 특징으로 하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
21 21
제 19항에 있어서,상기 제1나노선은, 유기물의 유기나노선으로 이루어지고,상기 나노터널형성단계는, 상기 유기나노선을 템플릿으로 하여 나노마스크층을 형성한 후 열처리 과정으로 유기나노선을 제거하여 나노터널을 형성하며,상기 열처리 과정은 100℃ ~ 500℃ 온도하에서 열처리하여 유기나노선을 제거하여 나노터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
22 22
제 19항에 있어서,상기 시드터널형성단계는,건식 에칭공정 또는 습식 에칭공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
23 23
제 19항에 있어서,상기 제2시드층형성단계는,MOCVD, MBE, 스퍼터, 및 전자빔 증착 중 어느 하나로 이루어져 질화물 구조체의 제2시드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
24 24
기판 상에 제1시드층을 형성하는 제1시드층형성단계;상기 제1시드층 상에 제1성장마스크층을 형성하는 제1성장마스크층형성단계;상기 제1성장마스크층의 소정 범위를 식각하여 시드터널을 형성하는 시드터널형성단계;상기 제1성장마스크층 상에 제1나노선을 형성하는 제1나노선형성단계;상기 제1나노선 상에 나노마스크층을 형성하는 나노마스크층형성단계;상기 나노마스크층을 형성한 후 유기의 제1나노선을 열처리로 제거하여 나노터널을 형성하는 나노터널형성단계;상기 시드터널 및 나노터널 내에서 제1시드층으로부터 유도성장으로 제2나노선을 형성하는 제2나노선형성단계; 및상기 나노마스크층 및 제1성장마스크층을 제거하는 마스크제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
25 25
제 24항에 있어서,상기 제2나노선은 질화물나노선으로 이루어지고,상기 제2나노선형성단계는,상기 제1시드층으로부터 질화물을 유도성장하여 질화물나노선을 형성하는 것을 특징으로 하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
26 26
제 24항에 있어서,상기 제1나노선은, 유기물의 유기나노선으로 이루어지고,상기 나노터널형성단계는, 상기 유기나노선을 템플릿으로 하여 나노마스크층을 형성한 후 열처리 과정으로 유기나노선을 제거하여 나노터널을 형성하며,상기 열처리 과정은 100℃ ~ 500℃ 온도하에서 열처리하여 유기나노선을 제거하여 나노터널을 형성하는 것을 특징으로 하는 유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
27 27
삭제
28 28
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09564318 US 미국 FAMILY
2 US20160189960 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016189960 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9564318 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.