맞춤기술찾기

이전대상기술

열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법(A Thermolectric Semiconductor module and A Manufacturing Method of The same)

  • 기술번호 : KST2016012856
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전 반도체 소자를 포함하는 열전 반도체 모듈에 있어서, 상기 열전 반도체 소자는 복수개의 열전 반도체 박막을 포함하며, 상기 복수개의 열전 반도체 박막의 상호 간의 계면이 상기 열전 반도체 소자의 길이 방향으로 위치하는 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 포토레지스트막 패턴을 통해, 각각의 열전 반도체 박막의 일정 높이를 제어할 수 있으므로, 간단한 제조방법에 의하여, 높이가 균일한 복수개의 열전 반도체 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 35/34 (2006.01) H01L 35/08 (2006.01)
CPC H01L 35/08(2013.01) H01L 35/08(2013.01)
출원번호/일자 1020140190133 (2014.12.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0079186 (2016.07.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.26)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송영섭 대한민국 대구광역시 동구
2 임재홍 대한민국 경상남도 창원시 의창구
3 이주열 대한민국 경상남도 김해시 장유로***번길
4 김만 대한민국 경상남도 창원시 의창구
5 이규환 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 정용수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 장도연 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1260981-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0079781-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0874526-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0144971-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0144965-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0459730-45
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0826689-22
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0774203-51
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1277678-21
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0938362-04
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0159808-47
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0159809-93
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0198855-88
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.04.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0376880-04
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0376879-57
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0296590-50
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
베이스 기판의 상부에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층의 상부에 포토레지스트막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막을 패터닝하여, 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막 패턴을 마스크로 하여, 상기 금속층을 식각하여, 언더컷 영역을 포함하는 금속층 패턴을 형성하는 단계; 및상기 언더컷 영역에 열전 반도체 소자를 형성하는 단계를 포함하는 열전 반도체 모듈의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 열전 반도체 소자는 복수개의 열전 반도체 박막을 포함하며, 상기 복수개의 열전 반도체 박막의 상호 간의 계면이 상기 열전 반도체 소자의 길이 방향으로 위치하는 열전 반도체 모듈의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 베이스 기판 및 상기 금속층의 사이에 버퍼층을 더 포함하는 열전 반도체 모듈의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 금속층과 식각액의 선택비가 큰 물질로 이루어지는 열전 반도체 모듈의 제조방법
8 8
제 4 항에 있어서,상기 언더컷 영역은 상기 포토레지스트막 패턴의 안쪽으로 형성되는 열전 반도체 모듈의 제조방법
9 9
제 4 항에 있어서,상기 포토레지스트막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 금속층 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 열전 반도체 모듈의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국기계연구원 부설 재료연구소 재료연구소연구운영비지원 습식공정 기반 고효율 Hybrid 광활성 핵심소재기술 개발