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표면에 인이 도핑된 산화 그래핀을 포함하는 난연제 및 이의 제조방법(FLAME RETARDANT COMPRISING GRAPHENE OXIDE DOPED PHOSPHORUS ON THE SURFACE)

  • 기술번호 : KST2016012878
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면에 인이 도핑된 산화 그래핀을 포함하는 난연제 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학적 합성이 어려운 그래핀이 산화된 형태인 산화 그래핀을 기초로 난연성을 가지는 인(phosphorus) 성분을 간단한 방법을 통해 매우 높은 비율로 도핑하는 난연제 관련 기술에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 이러한 난연제를 직물 등의 피처리물에 코팅할 경우 연소시 열의 전달을 막는 층을 형성하여 약간의 수축을 제외하고는 표면의 변화 없이도 화재를 효과적으로 예방할 수 있으며, 기존의 난연제와 달리 인체 및 환경에 유해할 수 있는 독성물질을 전혀 형성하지 않고도 뛰어난 내구성을 가지며, 낮은 가격으로 대량 생산을 할 수 있는 장점이 있어 다양한 산업 분야에 적용 가능하다.
Int. CL C09D 5/18 (2006.01) C09K 21/04 (2006.01)
CPC C09K 21/04(2013.01) C09K 21/04(2013.01) C09K 21/04(2013.01) C09K 21/04(2013.01) C09K 21/04(2013.01)
출원번호/일자 1020140191023 (2014.12.26)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0079529 (2016.07.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성찬 대한민국 서울특별시 서대문구
2 솜수라지트 인도 서울특별시 서대문구
3 남민식 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤병국 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)
2 이영규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1265910-25
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0045989-81
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1273029-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0198829-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0440653-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0440623-88
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0617765-05
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0930992-14
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.09.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0930994-16
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0708960-14
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번호 청구항
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챔버 내에 산화 그래핀(graphene oxide)을 준비하는 단계; 및인산(phosphoric acid) 및 폴리인산(polyphosphoric acid) 중 어느 하나 이상의 인 성분을 상기 챔버에 가하여 상기 산화 그래핀 표면에 상기 인 성분을 도핑하는 단계;를 포함하되,인 성분 도핑단계에서,상기 산화 그래핀 표면에 25~35 wt% 범위의 함량으로 상기 인 성분이 도핑되고,상기 챔버에 수산화나트륨을 가하여 pH 조건을 1~5 범위로 제어하며,80~100℃ 범위의 온도 조건 하에서 10~15시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 난연제 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 산화 그래핀 표면에 29 wt% 범위의 함량으로 상기 인 성분이 도핑되는 것을 특징으로 하는 난연제 제조방법
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챔버 내 산화 그래핀(graphene oxide)를 준비하는 단계;인산(phosphoric acid) 및 폴리인산(polyphosphoric acid) 중 어느 하나 이상의 인 성분과 수산화나트륨을 상기 챔버에 가하여 pH 1~5 조건 하에서 상기 산화 그래핀 표면에 25~35 wt% 범위의 함량으로 상기 인 성분을 도핑하는 단계; 및상기 인 성분이 표면에 도핑된 산화 그래핀을 피처리물 표면에 코팅하는 단계;를 포함하되,상기 인 성분을 도핑하는 단계는 80~100℃ 범위의 온도 조건 하에서 10~15시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 난연제 코팅방법
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청구항 13에 있어서,상기 피처리물은 내외장재, 가구 또는 직물인 것을 특징으로 하는 난연제 코팅방법
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청구항 13에 있어서,인 성분 도핑단계에서 상기 산화 그래핀 표면에 29 wt% 범위의 함량으로 상기 인 성분이 도핑되는 것을 특징으로 하는 난연제 코팅방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20160186061 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016186061 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원사업 (리서치펠로우)그래핀 기반의 유기촉매 합성과 활용
2 교육부 연세대학교 산학협력단 대학중점연구소지원사업 나노과학기술연구소(2/3.2단계)(2009.09.01~2018.08.31)
3 교육부 한국과학기술연구원(KIST) 원천기술개발사업(미래유망 융합기술 파이오니어) 에너지 수확소자의 고효율 인터페이스 및 관리 회로 기술 개발
4 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 선도연구센터지원사업 ERC/초정밀 광 기계기술 연구센터(1/4,1단계)(2015.8.1~2019.2.28)