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산화아연계 투명 반도체층과 투명 절연체층을 교대로 적층한 초격자 구조인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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청구항 1에 있어서,상기 산화아연계 투명 반도체층이 ZnO 또는 금속이 도핑된 ZnO 재질인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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3
청구항 2에 있어서,상기 도핑된 ZnO은 Al, Ga 및 In 중에서 선택된 하나 이상이 도핑된 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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4
청구항 3에 있어서,상기 금속의 도핑량이 5% 미만인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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5
청구항 1에 있어서,상기 투명 절연체층이 Al2O3, Ga2O3를 포함하는 절연산화물 군에서 선택되는 어느 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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6
청구항 1에 있어서,상기 투명 절연체층의 두께가 1nm 내지 15nm 범위인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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7
청구항 1에 있어서,상기 투명 절연체층의 두께가 3nm 내지 8nm 범위인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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8
청구항 1에 있어서,상기 산화아연계 투명 반도체층의 두께가 3nm 내지 20nm 범위 인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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9
청구항 1에 있어서,상기 산화아연계 투명 반도체층과 상기 투명 절연체층이 교대로 적층되는 횟수가 2회 이상인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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10
청구항 1에 있어서,상기 투명전극의 총 두께가 15nm 이상 인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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11
청구항 1에 있어서,상기 투명전극의 최하층과 최상층이 산화아연계 투명 반도체층인 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극
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12
청구항 1 내지 청구항 11 중 하나의 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극을 구비한 것을 특징으로 하는 광전소자
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13
청구항 12에 있어서,상기 광전소자가 디스플레이, 광검출기, 발광 소자 및 태양전지 중 하나인 것을 특징으로 하는 광전소자
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14
청구항 13에 있어서,상기 발광 소자가 Si, Ge을 포함한 4족 반도체와 질화물계를 포함한 3-5족 화합물 반도체 및 2-6족 화합물 반도체 중 하나를 기반으로 하는 LED 소자인 것을 특징으로 하는 광전소자
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15
산화아연계 투명 반도체층을 증착하는 단계와 투명 절연체층을 증착하는 단계를 반복하여, 산화아연계 투명 반도체층과 투명 절연체층을 교대로 적층한 초격자 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극의 형성방법
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16
청구항 15에 있어서,상기 산화아연계 투명 반도체층을 증착하는 단계와 상기 투명 절연체층을 증착하는 단계가 스퍼터링법, PECVD법, 원자층 증착법을 포함하는 진공증착법 중에서 선택된 어느 하나의 방법 또는 화학합성법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 초격자 구조를 적용한 산화아연계 투명전극의 형성방법
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