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후막저항 페이스트 및 이를 이용하여 형성된 후막 저항체(Manufacturing method of thick film resistor paste and thick film resistor using the same)

  • 기술번호 : KST2016012990
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 보다 간단하고 저비용으로 대전력에서도 신뢰성 높은 저항체 제조가 가능한 후막저항 페이스트 및 이를 이용하여 형성된 저항체가 제공된다. 본 발명에 따른 후막저항 페이스트는 전도성 산화물로서 인듐 주석 산화물, 유리, 분산제 및 비이클을 포함한다.
Int. CL H01C 7/00 (2006.01)
CPC H01C 7/003(2013.01)
출원번호/일자 1020140190393 (2014.12.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0080284 (2016.07.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성대 대한민국 서울특별시 송파구
2 유명재 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1262571-25
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1027654-29
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0095112-59
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0516375-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0959008-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0958979-44
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0126552-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 산화물로서 인듐 주석 산화물, 유리, 분산제 및 비이클을 포함하는 후막저항 페이스트
2 2
청구항 1에 있어서,상기 전도성 산화물은 루테늄 산화물을 더 포함하는 후막저항 페이스트
3 3
청구항 1에 있어서,상기 유리는 유리전이온도가 700℃이하인 후막저항 페이스트
4 4
청구항 1에 있어서,전체 후막저항 페이스트의 중량을 기준으로 하여,상기 전도성 산화물은 35내지 75wt%,상기 유리는 2내지 30wt%,상기 분산제는 0
5 5
기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 저항박막으로서, 전도성 산화물로서 인듐 주석 산화물 및 유리를 포함하는 저항박막;을 포함하는 저항체
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 기판은 질화알루미늄 기판인 저항체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 전자부품연구원 산학연협력기술개발 고출력 소자 제조를 위한 AlN 기판용 후막저항 소재 개발