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금속산화물 나노입자가 분산된 광추출층 제조방법과 이의 방법으로 이루어진 광추출층을 포함하는 유기발광다이오드 소자(Manufacturing method of metal oxide nanoparticle scattering film, organic light emitting diodes having the same)

  • 기술번호 : KST2016013045
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광추출층 제조방법으로서 a) 금속산화물 나노 입자, 고분자 수지 재료 및 표면처리제를 포함하되, 금속산화물 나노 입자가 20wt% 내지 98wt% 인 금속산화물 나노 입자 분산액을 기판 위에 코팅하여 광추출층을 도포하는 단계 및 b) 기판 위에 도포된 광추출층을 경화하는 단계를 포함하는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법과 이의 방법으로 이루어진 광추출층을 포함하는 유기발광다이오드 소자에 관한 것이다.
Int. CL
CPC H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01) H01L 51/56(2013.01)
출원번호/일자 1020140189979 (2014.12.26)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1695525-0000 (2017.01.05)
공개번호/일자 10-2016-0080281 (2016.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20170112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.26)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최윤석 대한민국 대전광역시 유성구
2 이재현 대한민국 대전광역시 유성구
3 김종훈 대한민국 대전광역시 대덕구
4 신철현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이성렬 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)
2 이성준 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)
3 이한욱 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)(특허법인오암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1260573-70
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0379969-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0075272-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0034404-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0207439-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0207448-39
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0513466-42
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0887845-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0887846-68
11 등록결정서
Decision to grant		 2017.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0004631-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 금속산화물 나노 입자, 고분자 수지 재료 및 표면처리제를 혼합하되, 상기 금속산화물 나노 입자가 54wt% 내지 97wt% 인 금속산화물 나노 입자 분산액을 제조하는 단계;b) 상기 금속산화물 나노 입자 분산액을 초음파 처리하여 10 nm 내지 5 ㎛ 크기의 집합체를 형성하는 단계;c) 집합체가 형성된 상기 금속산화물 나노 입자 분산액을 기판 위에 코팅하여 광추출층을 도포하는 단계; 및d) 상기 기판 위에 도포된 광추출층을 경화하여 50 nm 내지 1000 nm의 표면 거칠기(Rq)의 광추출층을 제조하는 단계를 포함하는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 표면처리제는 실란계, 티탄산염계 및 크롬계 화합물 중에 하나인 것에 특징이 있는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 나노 입자는 산화알루미늄(Al2O3), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2), 산화규소(SiO2), 인듐 주석 산화물(ITO), 산화세륨(Ce2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3), 티탄산바륨(BaTiO3) 및 이들의 조합 중에서 선택되는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 고분자 수지 재료는 폴리스타이렌(PS), 폴리비닐카바졸(PVK), 폴리스타이렌/폴리아크릴로나이트릴(PS/PAN), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리부틸메타크릴레이트(PBMA), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 기판은 연성기판 또는 경성기판인 것에 특징이 있는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 연성기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Ployethylene Terephthalate, PET), 폴리 카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리 이미드(polyimide, PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate, PEN), 폴리에테르 술폰(Polyether Sulfone, PES), COC(Cyclic olefin Copolymer) 및 Acryl 중 어느 하나로 선택되는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 경성기판은 유리기판 또는 사파이어 기판 중 어느 하나로 선택되는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 d) 단계는 열 경화 또는 UV 경화의 방법으로 경화하는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 열 경화 공정은 50~80℃에서 열처리하여 경화하는, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 나노 입자의 크기는 5nm 내지 500nm인, 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 광추출층의 두께는 0
13 13
제 1 항 및 제 3 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성하되, 확산 투과도가 45% 이상인 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
기판;상기 기판상에 형성된 투명 전극;상기 투명 전극상에 형성된 하나 이상의 발광층; 및상기 하나 이상의 발광층 상에 형성된 반사 전극; 을 포함하고,상기 기판의 하부면에 제 13 항의 금속산화물 나노 입자를 포함하는 광추출층이 형성된, 유기 발광 다이오드
17 17
제 16 항에 있어서,상기 기판은 연성기판 또는 경성기판인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드
18 18
제 17 항에 있어서,상기 연성기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Ployethylene Terephthalate, PET), 폴리 카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리 이미드(polyimide, PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate, PEN), 폴리에테르 술폰(Polyether Sulfone, PES), COC(Cyclic olefin Copolymer), SUS(Steel Use Stainless) 및 Acryl 중 어느 하나로 선택되는, 유기 발광 다이오드
19 19
제 17 항에 있어서,상기 경성기판은 유리기판 또는 사파이어 기판 중 어느 하나로 선택되는, 유기 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연구사업지원팀 플렉서블 OLED용 핵심 소재, 공정 및 장비 개발 플렉서블 OLED용 핵심 소재, 공정 및 장비 개발
2 미래창조과학부 한밭대학교 산학협력단 플라스틱/바이오 전자소자용 계면제어기술 연구 플라스틱/바이오 전자소자용 계면제어기술 연구