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세라믹 기판을 화학기상증착장치에 설치한 후에 H2 가스를 주입하면서 C2H2 가스 및 SF6 가스 중 선택된 하나의 가스를 주입하는 제 1 단계와,상기 H2 가스를 주입하면서 상기 선택된 하나의 가스의 주입을 중단하고, 상기 제 1 단계에서 선택되지 않은 다른 가스를 주입하는 제 2 단계와,상기 제 1 단계 및 제 2 단계를 2-12회의 교차 주입 횟수로 교차 반복하는 제 3 단계와,상기 제 3 단계가 완료된 후 상기 H2 가스 및 C2H2 가스를 주입하는 제 4 단계를 포함하며,상기 SF6 가스가 먼저 주입되면서 한주기 내에 상기 SF6 가스의 중단 및 주입 시간 비율이 동일한 상태보다 낮은 상태에서 탄소마이크로코일의 형성 및 규칙적인 결정 구조의 성장을 촉진하고,상기 C2H2 가스의 주입 중단 및 상기 SF6 가스의 주입 공정에서 기하구조가 제어된 탄소마이크로코일의 형성을 촉진하는 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계는, 0
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제 4 항에 있어서,상기 제 2 단계는, 0
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제 1 항에 있어서,상기 H2 가스는, 20-50 sccm의 유속으로 주입되는 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 H2 가스는, 30-120 분의 총 주입 시간으로 주입되는 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 C2H2 가스는, 10-30 sccm의 유속으로 주입되는 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 C2H2 가스는, 28-110 분의 총 주입 시간으로 주입되는 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 SF6 가스는, 20-50 sccm의 유속으로 주입되는 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 SF6 가스는, 2-10 분의 총 주입 시간으로 주입되는 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법은, 90-110 Torr의 전체 압력, 30-120 분의 전체 증착 시간 및 600-900 ℃의 기판 온도의 공정 조건으로 수행되는 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조 방법
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