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반도체 웨이퍼에 테라헤르츠파를 조사하는 방출부;상기 방출부에서 조사된 테라헤르츠파 중, 상기 반도체 웨이퍼에 반사된 반사 테라헤르츠파를 수신하거나, 또는 상기 반도체 웨이퍼를 투과하는 투과 테라헤르츠파를 수신하는 감지부; 및상기 감지부로부터 상기 반사 테라헤르츠파를 전송받아 상기 반사 테라헤르츠파의 크기를 측정하고, 측정된 상기 반사 테라헤르츠파의 크기정보를 이용하여 반사도를 연산하거나, 또는 상기 감지부로부터 상기 투과 테라헤르츠파를 전송받아 상기 반사 테라헤르츠파의 크기를 측정하고, 측정된 상기 투과 테라헤르츠파의 크기정보를 이용하여 투과도를 연산하며, 연산된 상기 반사도 또는 투과도를 P형 또는 N형의 도핑 상태에 따라 미리 데이터베이스화하여 기 저장된 실리콘 웨이퍼의 반사도 또는 투과도와 대조하여 상기 반도체 웨이퍼의 특성을 분석하는 분석부; 를 포함하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석장치
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청구항 1에 있어서,상기 분석부로부터 상기 반도체 웨이퍼의 특성을 연산한 결과 정보를 전송받아 화면 표시하는 표시부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석장치
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 반도체 웨이퍼는실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석장치
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청구항 1에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 특성은상기 반도체 웨이퍼 상에 도핑된 영역, 도핑된 성분, 상기 성분의 두께, 상기 반도체 웨이퍼의 굴절률과 유전율, 유전상수, 및 전도성 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석장치
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제1항에 있어서, 상기 테라헤르츠파는광원이 펄스형이거나 연속형인 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석장치
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청구항 1에 있어서,상기 테라헤르츠파는광원이 하나 또는 복수인 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석장치
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청구항 5 또는 청구항 6에 있어서, 상기 테라헤르츠파는파장이 3㎜ 내지 30㎛ 범위인 전자기파인 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석장치
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제1항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼를 고정시키는 실리콘 웨이퍼 고정부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석장치
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A) 실리콘 웨이퍼에 테라헤르츠파를 조사하는 단계; B) 상기 A) 단계에서 조사된 테라헤르츠파 중, 상기 실리콘 웨이퍼에 반사되는 반사 테라헤르츠파 또는 상기 실리콘 웨이퍼를 투과하는 투과 테라헤르츠파를 검출하는 단계; 및C) 상기 B) 단계에서 검출된 반사 테라헤르츠파의 크기를 측정하고, 측정된 상기 반사 테라헤르츠파의 크기정보를 이용하여 반사도를 연산하거나, 또는 상기 B) 단계에서 검출된 투과 테라헤르츠파의 크기를 측정하고, 측정된 상기 투과 테라헤르츠파의 크기정보를 이용하여 투과도를 연산하며, 연산된 상기 반사도 또는 상기 투과도를 P형 또는 N형의 도핑 상태에 따라 미리 데이터베이스화하여 기 저장된 실리콘 웨이퍼의 반사도 또는 투과도와 대조하여 상기 실리콘 웨이퍼의 특성을 분석하는 단계; 를 포함하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석방법
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청구항 9에 있어서, D) 상기 C) 단계에서 분석된 정보를 토대로 상기 실리콘 웨이퍼의 특성을 영상화하는 단계; 를 더 포함하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석방법
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청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼의 특성은상기 반도체 웨이퍼 상에 도핑된 영역, 도핑된 성분, 상기 성분의 두께, 상기 반도체 웨이퍼의 굴절률과 유전율, 유전상수, 및 전도성 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석방법
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청구항 9에 있어서, 상기 테라헤르츠파의 광원은펄스형 또는 연속형인 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석방법
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청구항 9에 있어서,상기 테라헤르츠파의 광원은하나 또는 복수인 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석방법
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청구항 9에 있어서,상기 테라헤르츠파는파장이 3㎜ 내지 30㎛ 범위인 것을 특징으로 하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석방법
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반도체 웨이퍼 분석방법에 있어서,A) P형 또는 N형의 도핑 상태에 따라 미리 데이터베이스화하여 기 저장된 실리콘 웨이퍼의 반사도 및 투과도를 측정된 반사도 및 투과도와 각각 비교하여 P 형으로 도핑되었는지, N 형으로 도핑되었는지를 확인하는 단계; B) 상기 A) 단계에서 측정된 상기 실리콘 웨이퍼의 반사도와 투과도를 기초로 하여 상기 실리콘 웨이퍼의 도핑두께를 측정하는 단계; C) 상기 B) 단계에서 측정된 정보를 기초로 하여 상기 실리콘 웨이퍼의 도핑 영역을 판단하는 단계; D) 상기 C) 단계에서 판단된 정보를 기초로 하여 상기 실리콘 웨이퍼에서의 굴절률을 산출하는 단계; 및E) 상기 D) 단계에서 산출된 정보를 기초로 하여 상기 실리콘 웨이퍼의 유전율과 유전상수를 산출하는 단계를 포함하는테라헤르츠파를 이용한 반도체 웨이퍼 분석방법
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