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실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판 상에 금 박막층을 형성하는 단계;상기 금 박막층이 형성된 상기 실리콘 기판 상에 복수의 홀을 가지는 양극 산화 알루미늄 산화물 필름을 부착하는 단계;상기 양극 산화 알루미늄 산화물 필름을 식각 마스크로, 상기 금 박막층의 일부분 및 상기 실리콘 기판의 일부분을 제거하여, 상기 실리콘 기판에 복수의 리세스를 형성하는 단계;상기 양극 산화 알루미늄 산화물 필름을 제거하는 단계; 및상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 금 박막층의 잔류하는 부분이 자기 조립(self-assembly)으로 응집하여 상기 복수의 리세스 각각의 내에 복수의 금 나노 도트를 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판을 열처리하여, 상기 복수의 금 나노 도트를 복수의 금-실리콘계 합금 나노 도트(Au-Si liquid alloy nano-dot)로 형성하는 단계; 및상기 실리콘 기판을 열처리하여, 상기 복수의 금-실리콘계 합금 나노 도트에 대응하는 위치에 복수의 실리콘 나노 와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 실리콘 나노 와이어 형성 방법
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제1 항에 있어서, 알루미늄 호일을 준비하는 단계; 상기 알루미늄 호일을 1차 양극 산화(anodic oxidation)를 수행하여 상기 알루미늄 호일의 일부분을 예비 양극 산화 알루미늄 산화물층으로 형성하는 단계; 상기 예비 양극 산화 알루미늄 산화물층을 제거하는 단계; 및 상기 예비 양극 산화 알루미늄 산화물층이 제거된 상기 알루미늄 호일을 2차 양극 산화를 수행하여 복수의 홀을 가지는 상기 양극 산화 알루미늄 산화물 필름을 형성하는 단계;를 포함하는, 상기 양극 산화 알루미늄 산화물 필름을 준비하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어 형성 방법
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제6 항에 있어서,상기 양극 산화 알루미늄 산화물 필름을 준비하는 단계는,상기 양극 산화 알루미늄 산화물 필름이 가지는 상기 복수의 홀이 육각 배열 구조를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어 형성 방법
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제6 항에 있어서,상기 1차 양극 산화를 수행하기 전에,상기 복수의 홀에 대응하는 상기 알루미늄 호일의 부분들에 표면 처리를 하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 복수의 실리콘 나노 와이어를 성장시키는 단계는,실리콘 전구체 분위기에서 열처리를 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어 형성 방법
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제1 항에 있어서, 상기 양극 산화 알루미늄 산화물 필름을 부착하는 단계는, 반데르발스 힘(van der Waals force)에 의하여 상기 양극 산화 알루미늄 산화물 필름이 상기 실리콘 기판 상에 부착되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어 형성 방법
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