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사산화망간(II, III) 코어의 표면에 도파민 중합체층을 형성하고, 환원분위기하에서 탄소쉘이 만들어지는 탄소화 반응과 사산화망간(II,III)이 산화망간(II)이 되는 탄소열 환원반응을 수행하여 산화망간(II) 코어와 탄소쉘을 포함하는 입자를 제조하고,금속염 용액으로 갈바닉 치환반응을 수행하여, 상기 탄소쉘의 표면에 직경 0
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제 1 항에 있어서, 상기 산화망간(II) 코어와 탄소쉘을 포함하는 입자는 탄소쉘의 내주면에 결합된 내부 금속나노결정를 추가로 포함하는 것인 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 도파민 중합체층을 형성하기 전에, 사산화망간(II,III) 코어에 금속염 용액으로 갈바닉 치환반응을 수행하여 사산화망간(II,III) 코어의 외부 표면에 직경 0
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제 5 항에 있어서, 상기 외부 금속나노결정을 결합하는 단계를 수행한 후에,산용액으로 산화망간(II) 코어를 제거하는 단계를 추가로 수행하여 속빈 탄소쉘을 제조하는 것인 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 외부 금속나노결정 및 내부 금속나노결정은 상이한 종류의 금속인 방법
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제1항, 제4항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서, 상기 외부 금속나노결정 또는 내부 금속나노결정은 백금, 팔라듐, 로듐, 및 이리듐으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 금속인 방법
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제1항, 제4항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서, 상기 금속나노결정은 0
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제1항, 제4항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서, 상기 복합 나노입자는 직경 20 내지 50 nm을 갖는 나노입자인 방법
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제1항, 제4항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서, 상기 갈바닉 치환반응은 50℃ 내지 100℃에서 수행되는 방법
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제1항, 제4항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서, 상기 갈바닉 치환반응은 0
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제1항에 있어서, 상기 금속염의 용액은 PtCl42-, PdCl42-, IrCl3, 또는 RhCl3 용액인 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소쉘의 두께는 5 내지 10 nm인 방법
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제1항에 따른 방법으로 제조되며, 탄소쉘 외주면에 형성된 직경 0
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제 15 항에 있어서, 상기 복합 나노입자는, 탄소쉘의 내주면에 형성된 직경 0
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제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 탄소쉘은 그 내부에 MnO 코어를 포함하는 것인 복합 나노입자
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제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 탄소쉘은 그 내부가 빈공간인 형태의 속빈 탄소쉘인 것인 복합 나노입자
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제 15 항에 있어서, 상기 외부 금속나노결정 또는 내부 금속나노결정은 백금, 팔라듐, 로듐, 및 이리듐으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 금속인 복합 나노입자
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제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 금속나노결정은 1
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제 15 항에 있어서, 상기 탄소쉘의 두께는 5 내지 10 nm인 복합 나노입자
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제 15 항에 있어서, 직경 20 내지 50 nm을 갖는 복합 나노입자
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제1항에 따른 방법으로 제조되며, 탄소쉘 외주면에 형성된 직경 0
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제 23 항에 있어서, 상기 복합 나노입자는, 탄소쉘의 내주면에 형성된 직경 0
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제 23 항에 있어서, 상기 탄소쉘은 그 내부가 빈공간인 형태의 속빈 탄소쉘인 것인 전지용 전극
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제 23 항에 있어서, 상기 외부 금속나노결정 또는 내부 금속나노결정은 백금, 팔라듐, 로듐, 및 이리듐으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 금속인 전지용 전극
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