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전계방출 에미터 물질을 수직방향으로 정렬하여 배열하는 정렬단계; 및상기 에미터 물질의 표면에 열수합성 공정으로 ZnO 코팅을 형성하는 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수명이 향상된 전계방출원의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 코팅단계 전에, 상기 에미터 물질의 표면에 열수합성을 위한 씨앗층을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 씨앗층의 재질이 Al이 도핑된 ZnO 인 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 3에 있어서,상기 Al이 도핑된 ZnO 재질의 씨앗층을 3nm이하의 두께로 부착시키는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 씨앗층을 부착하는 공정이 스퍼터링 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 스퍼터링 공정의 시간을 조절하여 상기 씨앗층의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 코팅단계에서, 상기 ZnO 코팅의 두께를 10nm 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 코팅단계에서, 상기 열수합성 공정을 수행하는 시간과 온도를 조절하여 상기 ZnO 코팅의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 열수합성 공정이 Zn(NO3)2·6H2O와 C6H12N4를 1:1의 비율로 용해된 2mM의 수용액을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 에미터 물질이 탄소 나노구조체인 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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11
청구항 10에 있어서,상기 탄소 나노구조체가 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 탄소나노튜브를 수직방향으로 정렬하여 배열하는 정렬단계가 접착테이프를 이용하여 탄소나노튜브를 수직한 방향으로 세워서 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 코팅단계 이후에, 상기 코팅단계에서 부수적으로 성장한 ZnO 나노와이어를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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청구항 12에 있어서,상기 ZnO 나노와이어를 제거하는 단계가 접착테이프를 이용하여 상기 에미터 물질을 수직방향으로 추가 정렬하는 것과 동시에 상기 ZnO 나노와이어를 제거하는 것을 특징으로 하는 전계방출원의 제조방법
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전계방출 에미터 물질의 표면에 열수합성 공정에 의해서 ZnO 코팅이 코팅된 것을 특징으로 하는 수명이 향상된 전계방출원
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16
청구항 15에 있어서,상기 ZnO 코팅의 두께가 10nm 이하인 것을 특징으로 하는 전계방출원
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청구항 15에 있어서,상기 에미터 물질이 탄소 나노구조체인 것을 특징으로 하는 전계방출원
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18
청구항 17에 있어서,상기 탄소 나노구조체가 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 전계방출원
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청구항 15 내지 청구항 18의 전계방출원을 구비한 것을 특징으로 하는 전계방출소자
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