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PMF(Poly(melamine-co-formaldehyde), PVP(Poly(4-vinylphenol)), PGMEA(Propylene glycol monomethyl ether acetate), PEGDMA(Poly ethylene glycol dimethacrylate), PPGDMA(Poly propylene glycol dimethacrylate), PPGDA(poly propylene glycol diacrylate), PDEGDA(Poly diethylene glycol diacrylate), 하기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물, 폴리실라잔계 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 중합체 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT(organic thin-film transistor) 소자의 기재용 평탄화 필름;[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, E는 , 또는 이고, R1, R3 및 R4는 각각은 독립적인 것으로서, 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이며, R2는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고, X는 -NHR5이고, 상기 R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이며,[화학식 2]상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R9 각각은 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, B는 -NHR10이고, 상기 R10은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 5의 알킬기이고,[화학식 3]상기 화학식 3에 있어서, R1 내지 R8 각각은 독립적인 것으로서, 수소원자, 할로겐원자, 카복실기(carboxyl group), 아마이드기(amide group), -CF3, -Si(OR)mH3-m, 포밀기(formyl group) 또는 아실기(acyl group)이고, 상기 n은 중량평균분자량 50,000 ~ 200,000을 만족하는 유리수이며, m은 0 ~ 3의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 폴리실라잔계 화합물은 하기 화학식 4-1로 표시되는 단량체의 중합체; 하기 화학식 4-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4-2로 표시되는 화합물을 포함하는 공중합체; 및하기 화학식 4-3으로 표시되는 중합체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름;[화학식 4-1]상기 화학식 4-1에 있어서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이고,[화학식 4-2]상기 화학식 4-2에 있어서, R1은 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며,[화학식 4-3]상기 화학식 4-3에 있어서, 상기 R1은 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이며, R2는 탄소수 2 ~ 5의 알킬렌기이고, R3 및 R4는 독립적인 것으로서, 수소원자, 탄소수 1 ~ 3의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 3의 알콕시기이며, R5는 수소원자 또는 탄소수 1 ~ 3의 알킬기이다
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제2항에 있어서, 상기 공중합체는 화학식 4-1로 표시되는 단량체 및 화학식 4-2로 표시되는 단량체를 1 : 2 ~ 6 몰비로 공중합시킨 것을 특징으로 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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제1항에 있어서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 폴리아마이드 페이퍼인 경우, 상기 평탄화 필름은 단층구조로서,PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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제1항에 있어서, 플렉서블 OTFT 소자의 기재가 폴리아마이드 필름인 경우, 상기 평탄화 필름은 단층구조로서,상기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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제1항에 있어서, 상기 평탄화 필름은 다층구조로서, 상기 평탄화 필름은PMF, PVP, PGMEA, PEGDMA, PPGDMA, PPGDA, PDEGDA, 상기 화학식 1로 표시되는 POSS계 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실라잔계 화합물 및 폴리실라잔계 화합물 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 제1 평탄화층; 및상기 화학식 3으로 표시되는 중합체를 포함하는 제2 평탄화층;을 포함하며,기재의 상단면에 제1 평탄화층 및 제2평탄화층이 차례대로 적층된 것을 특징으로 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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제1항에 있어서, 상기 평탄화 필름은PEGDMA 및 PPGDMA 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 디메타크릴레이트계 화합물; 및상기 POSS계 화합물, 상기 실라잔 및 상기 폴리실라잔 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 혼합물;을 1 : 0
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제1항에 있어서, 상기 평탄화 필름은 평균두께 0
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제6항에 있어서, 상기 제1평탄화층 및 제2평탄화층은 두께비가 1 : 0
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제1항에 있어서, 상기 평탄화 필름은 OTFT 소자의 기재 및 게이트 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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제4항에 있어서, 상기 폴리아마이드 페이퍼는 메타 폴리아마이드 페이퍼, 파라 폴리아마이드 페이퍼 및 메타-파라 폴리아마이드 페이퍼 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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제11항에 있어서, 상기 폴리아마이드 페이퍼는 메타 폴리아마이드 페이퍼이며, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 겉보기 밀도는 0
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제12항에 있어서, 상기 메타 폴리아마이드 페이퍼는 두께가 0
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제5항에 있어서, 상기 폴리아마이드 필름은 디아민 및 프탈로일계 화합물의 중합체를 함유한 폴리아마이드 수지를 경화시킨 필름이고,상기 중합체는 디아민 및 프탈로일계 화합물을 1 : 0
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제14항에 있어서, 상기 페닐렌 디아민과 상기 옥시디아닐린을 7 ~ 9 : 1 ~ 3 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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제14항에 있어서, 상기 페닐렌 디아민은 메타페닐렌디아민 및 파라페닐렌디아민을 1 : 1 ~ 3 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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제14항에 있어서, 상기 디아민은 메타페닐렌디아민, 파라페닐렌디아민, 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린을 3
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제14항에 있어서, 상기 디아민은 상기 페닐렌 디아민 및 상기 옥시디아닐린을 7 ~ 8 : 2 ~ 3 중량비로 포함하고, 상기 페닐렌 디아민은 파라페닐렌 디아민이고, 상기 옥시디아닐린은 3,4'-옥시디아닐린 및 4,4'-옥시디아닐린 중에서 선택된 1종 이상을 포함하며,상기 프탈로일계 화합물은 테레프탈로일계 화합물 및 이소프탈로일계 화합물을 6 ~ 8 : 2 ~ 4 중량비로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자의 기재용 평탄화 필름
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기재, 제1항 내지 제18항 중에서 선택된 어느 한 항의 평탄화 필름, 게이트(gate), 게이트 전극절연체(gate insulator), 소스(source), 드레인(drain) 및 활성체를 포함하며,기재, 상기 평탄화 필름, 게이트 및 게이트 전극절연체가 차례대로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 OTFT 소자
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제19항에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 필름일 때, 반도체 파라미터 분석기(Semiconductor Parameter Analyzer)로 소자의 on일때와 off일때의 전류값 비율 측정 시, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비가 1
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제19항에 있어서, 상기 기재가 폴리아마이드 페이퍼일 때,반도체 파라미터 분석기(Semiconductor Parameter Analyzer)로 소자의 on일때와 off일때의 전류값 비율 측정 시, 전달곡선(Transfer curve, Ion/Ioff )비가 1
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