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1
하기 일반식 1로 표현되는 물질, 하기 일반식 2로 표현되는 물질, 하기 일반식 3으로 표현되는 물질, 또는 이들의 조합을 포함하는 자기열 물질:[일반식 1](Mn1-xTmx)5PB2상기 일반식 1에서,Tm은 전이금속 원소 중에서 선택된 1종 이상이고,0
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제1항에서,상기 Tm은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, 및 Zn 중에서 선택된 1종 이상인 자기열 물질
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3
제1항에서,상기 A는 Si, As, Ge, 및 S 중에서 선택된 1종 이상인 자기열 물질
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4
제1항에서,상기 z는 0
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5
제1항에서,상기 z는 0
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6
제1항에서,하기 일반식 1a로 표현되는 자기열 물질:[일반식 1a](Mn1-xFex)5PB2상기 일반식 1a에서,0
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7
제1항에서,하기 일반식 2a로 표현되는 자기열 물질:[일반식 2a]Mn5P1-ySiyB2상기 일반식 2a에서,0
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8
제1항에서,상기 자기열 물질의 입자 크기는 1nm 내지 100㎛인 자기열 물질
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9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 자기열 물질을 포함하는 제품
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10
제9항에서,2종 이상의 자기열 물질을 포함하는 제품
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11
제9항에서,자기냉각 장치, 자기열 발전기, 자기열 펌프 및 전자파 차폐제를 포함하는 제품
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12
자기열 물질의 제조방법으로서,원료 혼합물을 얻는 단계; 그리고상기 원료 혼합물을 열처리하는 단계를 포함하고,상기 자기열 물질이 하기 일반식 1로 표현되는 물질, 하기 일반식 2로 표현되는 물질, 하기 일반식 3으로 표현되는 물질, 또는 이들의 조합을 포함하는 자기열 물질의 제조방법:[일반식 1](Mn1-xTmx)5PB2상기 일반식 1에서,Tm은 전이금속 원소 중에서 선택된 1종 이상이고,0
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13
제12항에서,상기 열처리는 800℃ 내지 1,000℃의 온도에서 진행되는 자기열 물질의 제조방법
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14
제13항에서,상기 열처리는 3회 이상 진행되는 자기열 물질의 제조방법
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제12항에서,상기 열처리는 무산소 분위기 하에서 진행되는 자기열 물질의 제조방법
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제12항에서,상기 자기열 물질의 입자 크기는 1nm 내지 100㎛인 자기열 물질의 제조방법
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