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기판 상에 배치되고, 전자를 활성층에 주입하는 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층의 일부 영역에 배치되는 상기 활성층; 및상기 n형 질화물 반도체층에서 상기 활성층이 배치되지 않은 영역과, 상기 활성층의 상부에 배치되어, 홀을 상기 활성층에 주입하는 p형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 질화물 반도체층은, 상기 활성층의 인-페이즈의 평형면과 수직면에 동시에 접합하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 질화물 반도체층은,상기 활성층이 식각되어 노출된 상기 n형 질화물 반도체층으로부터 성장되고, 상기 활성층의 상부까지 성장되어 형성되는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 p형 질화물 반도체층의 상부 전 영역에 배치되는 전도층을 더 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체층에서 상기 활성층이 배치되지 않은 영역과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 배치되어, 전류를 차단하는 절연층을 더 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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제5항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 활성층이 식각되어 노출된 상기 n형 질화물 반도체층에 배치되고, 상기 절연층의 상부로부터 상기 p형 질화물 반도체층이 성장되어, 상기 활성층의 상부까지 성장되어 형성되는 질화물 반도체 발광소자
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기판;상기 기판 상부의 도핑되지 않은 제1질화물 반도체층;상기 제1질화물 반도체층 상부에 배치되어, 전자를 활성층에 주입하는 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상부에 배치되는 도핑되지 않은 제2질화물 반도체층;상기 제2질화물 반도체층의 일부 영역에 배치되는 상기 활성층;상기제2질화물 반도체층에서 상기 활성층이 배치되지 않은 영역과, 상기 활성층의 상부에 배치되어, 홀을 상기 활성층에 주입하는 p형 질화물 반도체층; 및상기 p형 질화물 반도체층의 상부의 전 영역에 배치되는 전도층을 포함하고,상기 p형 질화물 반도체층은, 상기 활성층의 인-페이즈의 평형면과 수직면에 동시에 접합하는 질화물 반도체 발광소자
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