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기판 상부의 버퍼층;상기 버퍼층 상부에 배치되며 소정 제1온도에서 성장되는 질화물 반도체층;상기 버퍼층과 상기 질화물 반도체층 사이에 배치되어, 결정결함의 진행을 차단하는 결함 완화층; 및상기 버퍼층과 상기 결함 완화층 사이에 배치되어, 결정결함의 진행을 차단하는 삽입층을 포함하고, 상기 결함 완화층은,상기 삽입층의 상부에 배치되고, 상기 제1온도보다 소정 온도만큼 낮은 제2온도에서 성장하는 결함 제거층; 및상기 결함 제거층의 상부에 배치되고, 상기 제2온도보다 고온에서 성장하는 회복층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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기판 상부의 버퍼층;상기 버퍼층 상부에 배치되며 소정 제1온도에서 성장되는 질화물 반도체층;상기 버퍼층과 상기 질화물 반도체층의 사이에 배치되고, 상기 제1온도보다 소정 온도만큼 낮은 제2온도에서 성장하는 결함 제거층;상기 결함 제거층과 상기 질화물 반도체층의 사이에 배치되고, 상기 제2온도보다 고온에서 성장하는 회복층; 및상기 결함 제거층과 상기 회복층의 사이에 배치되어, 결정결함의 진행을 차단하는 삽입층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 삽입층은,질화 알루미늄(AlN) 또는 질화 알루미늄 갈륨(AlGaN)으로 구성되는 질화물 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 삽입층은, AlN과 AlGaN이 서로 반복하여 적층된 구조인 질화물 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 삽입층의 두께는, 0보다 크고 5㎛ 이하의 범위에서 결정되는 질화물 반도체 발광소자
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6
기판 상부의 버퍼층;상기 버퍼층 상부에 배치되며 소정 제1온도에서 성장되는 질화물 반도체층;상기 버퍼층과 상기 질화물 반도체층의 사이에 배치되고, 상기 제1온도보다 소정 온도만큼 낮은 제2온도에서 성장하는 결함 제거층;상기 결함 제거층과 상기 질화물 반도체층의 사이에 배치되고, 상기 제2온도보다 고온에서 성장하는 회복층; 상기 질화물 반도체층과 상기 결함 제거층의 사이에 배치되어, 결정결함의 진행을 차단하는 제1삽입층; 및상기 결함 제거층과 상기 회복층의 사이에 배치되어, 결정결함의 진행을 차단하는 제2삽입층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자
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7
제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2삽입층 각각은, AlN 또는 AlGaN으로 구성되는 질화물 반도체 발광소자
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제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2삽입층 각각은, AlN과 AlGaN이 서로 반복하여 적층된 구조인 질화물 반도체 발광소자
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제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2삽입층 각각의 두께는, 0보다 크고 5㎛ 이하의 범위에서 결정되는 질화물 반도체 발광소자
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