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기판 상부에 금속층 또는 금속 산화물층을 형성시키는 단계;상기 금속층 또는 금속 산화물층 상부에 자성층을 형성시킨 후 열처리하는 단계;상기 자성층 상부에 플라스틱층을 형성시킨 후 큐어링하는 단계; 및상기 금속층 또는 금속 산화물층을 제거하여 상기 기판으로부터 상기 자성층이 형성된 플라스틱층을 분리하는 단계;를 포함하되, 상기 금속층은 은(Ag), 티타늄(Ti), 게르마늄(Ge), 구리(Cu), 주석(Sn) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이며, 상기 금속 산화물층은 MgO, SnO2, GeO2 및 In2O3로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이고, 상기 자성층은 Fe2O3 또는 MO·Fe2O3,(M은 Ni, Mn, Zn, Mg, Fe, Cu 및 Co로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종)인 것을 특징으로 하는, 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 실리콘인 것을 특징으로 하는 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 자성층은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스핀코팅, 바코팅 및 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 500 ~ 1200 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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8
제1항에 있어서,상기 플라스틱층은 아크릴(acryl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에테르 술폰(polyether sulfone), 폴리이미드(polyimide), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane) 및 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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9
제1항에 있어서,상기 플라스틱층은 스핀코팅 또는 바코팅으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 큐어링은 80 ~ 300 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속층 또는 금속 산화물층의 제거는 물, 황산, 불산, 과산화수소 및 요오드(I2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 수행되는 것을 특징으로 하는 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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기판 상부에 금속층 또는 금속 산화물층을 형성시키는 단계;상기 금속층 또는 금속 산화물층 상부에 자성층을 형성시킨 후 열처리하는 단계;상기 자성층 상부에 잉크젯 프린팅으로 배선을 형성시키는 단계;상기 배선이 형성된 자성층 상부에 플라스틱층을 형성시킨 후 큐어링하는 단계; 및상기 금속층 또는 금속 산화물층을 제거하여 상기 기판으로부터 상기 자성층이 형성된 플라스틱층을 분리하는 단계;를 포함하고,상기 플라스틱층은 자성층의 수평단면적보다 크게 형성되어 자성층이 플라스틱층 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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13
제12항에 있어서,상기 배선은 구리, 은 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 플라스틱층에 자성층이 내장된 플렉서블 복합체의 제조방법
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