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GaN 기판 상에 마스크층을 형성하는 제1단계;상기 마스크층을 패터닝하여 상기 GaN 기판의 일부 영역을 노출시키는 나노패턴을 형성하는 제2단계;상기 나노패턴에 대응하여 상기 GaN 기판 상에 GaN을 선택적으로 성장시켜 요철 형태의 나노구조를 형성시키고, 인접하는 상기 요철 형태의 나노구조가 서로 병합되어 서로 다른 결정면이 노출되도록 요철 형태의 GaN 나노구조체를 성장시키는 제3단계; 및상기 GaN 나노구조체 상에 활성층을 포함하는 나노구조층을 성장시키는 제4단계;를 포함하여 이루어지며,상기 요철 형태의 GaN 나노구조체의 두께를 조절하여 노출되는 상기 결정면의 면적을 조절하여, 상기 활성층의 상기 GaN 나노구조체의 결정면에 따른 유효 조성물의 함량이 달라 발광파장의 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 GaN 기판은 최상층에 u-GaN층이 성장된 것을 사용하며,상기 제3단계의 GaN은 u-GaN인 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 GaN 기판은 u-GaN 상층에 n-GaN 층이 최상층으로 성장된 것을 사용하며,상기 제3단계의 GaN은 n-GaN인 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 GaN 기판은 u-GaN 상층에 n-GaN 층을 성장하는 도중에 u-GaN/n-GaN 층을 성장하거나, 도핑농도가 서로 다른 n-GaN 층을 복수개로 성장한 것을 사용하며,상기 제3단계의 GaN은 n-GaN인 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 GaN 기판은 u-GaN 상층에 n-GaN층을 성장하는 도중에 u-GaN/n-GaN 층과 InAlGaN/n-GaN 층을 반복하여 성장한 것을 사용하며,상기 제3단계의 GaN은 n-GaN인 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 활성층은,InGaN인 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 마스크층은,금속, 산화물 및 질화물 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 나노구조체를 이용한 백색 발광소자는,메사(mesa) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 GaN 나노구조체는,MOCVD 방법에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항 내지 제 7항, 제 9항 및 제 10항 중의 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 나노구조체를 이용한 백색 발광소자
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