| 1 |
1
텅스텐 산화물 전극을 전해액에 함침시킨 후 전압을 인가하여 양극산화시켜 나노 다공성 구조의 텅스텐 산화물을 제조하는 단계;상기 제조된 나노 다공성 구조의 텅스텐 산화물에 이산화티타늄 나노입자를 도포시킨 후 열처리하는 단계; 및상기 이산화티타늄 나노입자가 도포된 텅스텐 산화물을 염료가 용해된 용액에 함침시켜 이산화티타늄 나노입자에 염료를 흡착시키는 단계;를 포함하는 광전기 변색소자용 복합체의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 텅스텐 산화물은 단사정계 구조(monoclinic structure)이고, 상기 이산화티타늄 나노입자는 아나타제 구조(anatase structure)인 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자용 복합체의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 전해액은 황산 및 NaF을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자용 복합체의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 양극산화는 35 ~ 45 V의 전압으로 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자용 복합체의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 열처리는 20 ℃/분의 승온속도로 300 ~ 450 ℃에서 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자용 복합체의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 염료는 N719 염료([(C4H9)4N]2[Ru(dcbpyH)2(NCS)2]), N3 염료([Ru(dcbpyH2)2(NCS)2],dcbpyH2=2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylic acid) 및 N749 염료([(C4H9)4N]3[Ru(tcterpy)(NCS)3]·3H2O,tcterpy=4,4',4"-tricarboxy-2,2':6',2"-terpyridine)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자용 복합체의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 염료는 에탄올에 용해되는 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자용 복합체의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 방법으로 제조된 광전기 변색소자용 복합체를 투명 전도성 산화물이 코팅된 유리에 부착시켜 작업전극을 제조하는 단계;투명 전도성 산화물이 코팅된 유리에 백금 전구체 용액을 적하하여 스핀코팅시켜 상대전극을 제조하는 단계; 및상기 작업전극 및 상대전극 사이에 전해질을 주입하는 단계;를 포함하는 광전기 변색소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물은 산화주석(SnO2), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 및 불소가 도핑된 인듐 틴 옥사이드(FTO)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 백금 전구체 용액은 H2PtCl6 및 KCl을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 전해질은 리튬 아이오다이드(LiI) 및 요오드(I2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기 변색소자의 제조방법
|
