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입력 신호를 인가받아 상기 입력 신호의 레벨을 시프트 업(shift up)하여 형성되는 제어 전압을 제공하는 레벨 시프트 유닛(level shift unit); 상기 제어 전압이 제어단에 인가되어 선형 영역(triode region)에서 동작하는 MOS 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Transistor)를 포함하는 능동 저항; 및 상기 능동 저항과 연결된 커패시터(capacitor)를 포함하며, 상기 레벨 시프트 유닛은,상기 입력 신호의 레벨을 시프트 업하는 레벨 시프트 MOS 트랜지스터; 및 제1 입력으로 입력전압이 인가되고, 제2 입력은 상기 제1 입력과 가상 단락(virtual short)으로 미러링(mirroring)되어 상기 레벨 시프트 MOS 트랜지스터의 소스에 연결되어 상기 입력 신호를 제공하고, 출력은 상기 레벨 시프트 MOS 트랜지스터의 게이트에 연결되는 연산 증폭기(OP Amp, Operational Amplifier)를 포함하며, 상기 연산 증폭기는 출력 전압을 출력하는 필터
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제1항에 있어서, 상기 레벨 시프트 MOS 트랜지스터의 소스와 연결되어 상기 입력 신호를 버퍼링하여 출력하는 버퍼를 더 포함하며,상기 버퍼의 출력은 상기 능동 저항의 출력에 제공되는 필터
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제3항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 직렬로 연결된 복수의 NMOS 트랜지스터들을 포함하며, 상기 커패시터는 상기 NMOS 트랜지스터의 출력에 연결된 필터
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제1항에 있어서, 상기 제어 전압은 상기 입력 신호가 상기 레벨 시프트 MOS 트랜지스터의 게이트-소스간 전압만큼 시프트 업(shift up)되어 형성되는 필터
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커패시터를 포함하고, 가속도 변화에 상응하도록 커패시턴스 변화가 발생하는 가속도 센서;상기 커패시턴스 변화에 상응하도록 등가 커패시턴스가 시그마 델타 변조되며, 상기 등가 커패시턴스에 상응하는 신호를 출력하는 제1 SCA(Switched Capacitor Amplifier);상기 커패시턴스 변화에 상응하도록 등가 커패시턴스가 변화하는 거친 조정 커패시터 유닛과, 상기 거친 조정 커패시터 유닛의 상기 등가 커패시턴스에 상응하는 제어 신호를 출력하는 제2 SCA; 및일단과 타단을 가지며, 상기 제어 신호를 입력받는 제어단을 가지는 능동 저항과, 상기 타단에 연결된 커패시터를 포함하는 필터를 포함하며, 상기 능동 저항의 저항값은 상기 제어단에 인가되는 상기 제어 신호에 의하여 결정되며, 상기 필터는 상기 등가 커패시턴스에 상응하는 신호에 포함된 상기 시그마 델타 변조에 의하여 발생하는 고주파 리플을 제거하는 시그마 델타 변조기의 리플 평활 장치
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제6항에 있어서, 상기 등가 커패시턴스에 상응하는 신호는 상기 시그마 델타 변조에 의하여 발생하는 고주파 리플을 포함하며, 상기 필터는 상기 고주파 리플을 제거하는 시그마 델타 변조기의 리플 평활 장치
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제6항에 있어서,상기 능동 저항은 상기 제어 신호를 인가받아 상기 제어 신호의 레벨을 시프트 업(shift up)하여 제공하는 레벨 시프트 유닛(level shift unit)과, 레벨이 시프트 업된 제어 신호가 제어단에 인가되어 깊은 선형 영역(deep triode region)에서 동작하는 MOS 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Transistor) 및상기 제어 신호를 버퍼링하여 상기 능동 저항의 타단에 제공하는 버퍼를 포함하는 시그마 델타 변조기의 리플 평활 장치
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제8항에 있어서,상기 레벨 시프트 유닛은,제어전압 레벨을 게이트-소스 전압만큼 시프트 업하는 레벨 시프트 MOS 트랜지스터; 및 제1 입력으로 상기 제어전압이 인가되고, 제2 입력은 상기 제1 입력과 가상 단락(virtual short)으로 미러링(mirroring)되어 상기 레벨 시프트 MOS 트랜지스터의 소스에 연결되고, 출력은 상기 레벨 시프트 MOS 트랜지스터의 게이트에 연결되는 연산 증폭기(OP Amp, Operational Amplifier)를 포함하는 시그마 델타 변조기의 리플 평활 장치
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제6항에 있어서,상기 능동 저항은 직렬로 연결된 복수의 NMOS 트랜지스터(N type Metal Oxide Semiconductor Transistor)를 포함하며, 상기 NMOS 트랜지스터는 깊은 선형 영역(deep triode region)에서 동작하는 시그마 델타 변조기의 리플 평활 장치
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