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투명전극 및 그의 제조방법(TRANSPARENT ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016013585
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명전극에 관한 것으로, 본 발명에 따른 투명전극은 투명기판(100), 및 네트워크를 형성하는 전도성 나노와이어(10) 및 나노와이어(10)를 서로 접합시키고 다수개의 세공(pore)이 형성된 다공성 나노입자(20)를 포함하고, 투명기판(100)에 임베디드(embeded)되는 전도층(200)을 포함한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020150001307 (2015.01.06)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0084715 (2016.07.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170044963;
심사청구여부/일자 Y (2015.01.06)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진우 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0010990-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-1215386-28
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0003082-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0411652-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0718439-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0718433-07
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0855849-57
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.12.29 수리 (Accepted) 7-1-2016-0071456-99
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.01.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0041751-55
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0041745-81
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0165731-63
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2017.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0339936-50
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판; 및네트워크를 형성하는 전도성 나노와이어, 및 상기 나노와이어를 서로 접합시키는 다수개의 세공(pore)이 형성된 다공성 나노입자를 포함하고, 상기 투명기판에 배치되는 전도층;을 포함하는 투명전극
2 2
청구항 1에 있어서,상기 투명기판은 유연성을 가지는 투명전극
3 3
청구항 1에 있어서,상기 투명기판은 광투과율이 80% 이상의 기판인 투명전극
4 4
청구항 1에 있어서,상기 나노와이어는 은(Ag) 나노와이어인 투명전극
5 5
청구항 1에 있어서,상기 나노입자의 농도(wt%)에 대한 상기 나노와이어의 농도(wt%)의 비율이 0
6 6
청구항 1에 있어서,상기 나노입자는 실리카 에어로젤(silica aerogel)인 투명전극
7 7
청구항 4에 있어서,상기 나노입자의 세공(pore)은 내부에 상기 은(Ag) 나노와이어의 은 원자(Ag atom)가 분산되어, 전도성 채널을 형성하는 투명전극
8 8
청구항 1에 있어서,상기 전도층은 상기 투명기판에 임베디드(embeded)되는 투명전극
9 9
(A) 네트워크를 형성하는 전도성 나노와이어, 및 상기 나노와이어를 서로 접합시키는 다수개의 세공(pore)이 형성된 다공성 나노입자를 혼합하여 분산액을 제조하는 단계;(B) 상기 분산액을 릴리즈 기판(release substrate)에 도포하여 전도층을 형성하는 단계;(C) 상기 전도층에 폴리머를 도포하는 단계;(D) 상기 폴리머를 경화시켜서, 상기 전도층이 임베디드(embeded)된 투명기판을 형성하는 단계; 및(E) 상기 투명기판 및 상기 전도층으로부터 상기 릴리즈 기판(release substrate)을 제거하는 단계;를 포함하는 투명전극의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 나노와이어는 은(Ag) 나노와이어인 투명전극의 제조방법
11 11
청구항 9에 있어서,상기 분산액을 제조하는 단계에서, 상기 나노입자의 농도(wt%)에 대한 상기 나노와이어의 농도(wt%)의 비율이 0
12 12
청구항 9에 있어서,상기 나노입자는 실리카 에어로젤(silica aerogel)인 투명전극의 제조방법
13 13
청구항 10에 있어서,상기 나노입자의 세공(pore)은 내부에 상기 은(Ag) 나노와이어의 은 원자(Ag atom)가 분산되어, 전도성 채널을 형성하는 투명전극의 제조방법
14 14
청구항 9에 있어서,상기 전도층을 형성하는 단계에서, 릴리즈 기판(release substrate)에 상기 분산액을 도포한 후, 열처리하여 용매를 증발시키는 투명전극의 제조방법
15 15
청구항 9에 있어서,상기 릴리즈 기판(release substrate)은 실리콘 기판인 투명전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 CN105762291 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105762291 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2016198571 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9826636 US 미국 DOCDBFAMILY
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