| 1 |
1
다음의 화학식 1의 폴리오르가노-실세스퀴옥산 1
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 m과 n은 1:9 내지 9:1 범위의 비율인 것인 코팅 조성물
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 m과 n은 6:4의 비율인 것인 코팅 조성물
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 폴리오르가노-실세스퀴옥산의 수평균분자량은 102 내지 106의 범위인 것인 코팅 조성물
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 파장변환제는 란탄계 화합물, 전이금속 화합물, 유기물 발광체 및 반도체 나노결정으로 구성된 군으로부터 선택되는 최소 하나를 포함하는 것인 코팅 조성물
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 란탄계 화합물 또는 전이금속 화합물은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Mo, Ru, Rh, Ag, Cd, Ir, W, Au 및 Hg로 구성된 군으로부터 선택되는 최소 하나의 금속을 포함하는 화합물인 것인 코팅 조성물
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 유기물 발광체는 방향족, 지환족, 에테르, 할로겐화된 탄화수소 또는 테르펜 작용기를 포함하는 유기단량체 및 이들의 중합체 또는 조합물로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 코팅 조성물
|
| 8 |
8
제5항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 CdTe/CdSe, CdS(Se)/CdTe, CdS(Se)/ZnTe, CuInS(Se)/ZnS(Se), Cu(GaIn)S(Se)/ZnS(Se), ZnTe/CdS(Se), GaSb/GaAs, GaAs/GaSb, Ge/Si, Si/Ge, PbSe/PbTe, PbTe/PbSe,CdTe, CdSe, ZnTe, CuInS, CuGaS, Cu(Ga,In)S, CuGaSnS(Se), CuGaS(Se), CuSnS(Se), ZnS, CuInSe
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 2~40 nm의 입자 크기를 가지는 것인 코팅 조성물
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 용매는 석유 용매, 방향족 또는 지환족 용매, 에테르, 할로겐화된 탄화수소 또는 테르펜 혼합물, 또는 이의 혼합물인 것인 코팅 조성물
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 코팅 조성물은 경화 촉매, 결합제, 금속 입자, 무기물 입자 및 유기물 입자 중 적어도 어느 하나를 추가적으로 포함하는 것인 코팅 조성물
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 무기물 입자 및 유기물 입자는 30 nm 이상 400 nm 이하의 구형 입자인 것인 코팅 조성물
|
| 13 |
13
제11항에 있어서, 상기 경화 촉매, 결합제, 금속 입자, 무기물 입자 및 유기물 입자의 전체 함량은 전체 코팅 조성물 내에서 0
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
(a) 제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항의 코팅 조성물을 기재 상에 도포하는 단계; 및 (b) 상기 도포된 기재를 경화시키는 단계를 포함하는 파장변환용 시트의 제조방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서, 상기 기재는 플라스틱, 스테인리스, 알루미늄, 유리, 쿼츠(quartz), 태양전지, LED 칩 또는 섬유를 포함하는 것인 제조방법
|
| 17 |
17
제15항에 있어서, 상기 시트는 가시광 투과도가 공기와 비교하여 70% 이상인 것인 제조방법
|
| 18 |
18
제15항에 있어서, 상기 방법은 제조된 시트의 표면을 패터닝하는 단계를 추가적으로 포함하는 것인 제조방법
|
| 19 |
19
제15항에 있어서, 상기 방법은 폴리오르가노-실세스퀴옥산 보호층을 도포하는 단계를 추가적으로 포함하는 것인 제조방법
|
| 20 |
20
제15항에 있어서, 상기 경화는 가열, 빛 조사, 상온 배치, 수분주입 및 촉매주입으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 방법을 이용하여 실시되는 것인 제조방법
|
| 21 |
21
제15항의 방법에 따라 제조된 파장변환용 시트
|
| 22 |
22
제21항에 있어서, 상기 시트는 패턴화된 시트로 비패턴화된 시트와 비교하여 최소 2배 이상의 광발광 강도를 나타내는 것인 시트
|
| 23 |
23
제21항의 파장변환용 시트를 포함하는 태양전지
|
| 24 |
24
(a) 태양전지 셀을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 태양전지 셀의 적어도 일면에 제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항의 코팅 조성물을 도포하고 경화시켜 파장변환층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
|
