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a) 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제1표면층을 포함하는 제1구조체와, 제1표면층과 독립적으로 하기 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 제2표면층을 포함하는 제2구조체를, 제1표면층과 제2표면층이 맞닿도록 적층하는 단계, 및b) 제1구조체와 제2구조체가 적층된 적층체를 열간 압착(hot pressing)하여 상기 제1표면층과 제2표면층을 단일한 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막으로 전환시키는 단계를 포함하는, 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막이 구비되는 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1표면층에 함유된 물질-제2표면층에 함유된 물질의 짝(pair)은 하기 1) 내지 5) 중 하나인 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1표면층 및 제2표면층은 서로 독립적으로, i~v) 중 적어도 한 물질의 입자상이 도포된 도포막, i~v) 중 적어도 한 물질의 다공막, i~v) 중 적어도 한 물질의 치밀막 또는 이들의 조합으로 이루어진 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1표면층 및 제2표면층은 서로 독립적으로 i~v) 중 적어도 한 물질을 함유하는 단일층, i~v) 중 적어도 두 물질을 함유하는 단일층, 또는 i~v) 중 적어도 두 물질 각각이 층을 이루며 적층된 적층층인 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1표면층 및 제2표면층은 서로 대응되는 형상으로 패턴화된 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1표면층 및 제2표면층은 서로 독립적으로, 인쇄, 도포 또는 증착에 의해 형성되는 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 제1표면층 및 제2표면층은 서로 독립적으로, 상기 i~v) 중 적어도 한 물질이 용해된 용액 또는 상기 i~v) 중 적어도 한 물질이 분산된 슬러리나 잉크를 이용하여 형성되는 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1표면층 및 제2표면층 중 적어도 한 표면층은 i)무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물을 함유하며, 상기 i)무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물을 함유하는 표면층은 상기 iv) 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 전구물질의 층 또는, v) 금속할로겐화물 전구물질과 ii) 유기할로겐화물이 적층된 적층층을 열처리하여 제조된 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 i) 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3을 만족하는 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3에서, A는 Aa(1-x)Abx로, Aa는 아미디니움계 이온이고, Ab는 유기 암모늄 이온이며, x는 0
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제 10항에 있어서,상기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3에서, X는 서로 상이한 두 할로겐 이온을 포함하는 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3에서, X는 Xa(1-y)Xby로, Xa 요오드 이온이고, Xb는 브롬 이온이며, y는 0
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제 1항에 있어서,상기 ii) 유기할로겐화물은 하기의 화학식 4를 만족하는 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 iii) 금속할로겐화물은 하기의 화학식 5, 화학식 6 또는 화학식 7을 만족하는 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열간 압착은 50 내지 250℃의 온도 및 1 내지 100MPa의 압력으로 수행되는 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열간 압착은 진공 내지 상압 분위기에서 수행되는 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1구조체는 제1기판 및 제1기판상 위치하는 제1전극을 더 포함하며, 상기 제2구조체는 제2기판 및 제2기판상 위치하는 제2전극을 더 포함하는 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 제1구조체는 제1전극 상 위치하는 전자 전달체를 더 포함하는 제조방법
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제 21항에 있어서,상기 전자 전달체는 유기물 또는 무기물인 제조방법
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제 21항에 있어서,상기 전자 전달체는 치밀막 또는 다공막 구조인 제조방법
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제 21항에 있어서,상기 제2구조체는 제2전극상 위치하는 정공 전달체를 더 포함하는 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 정공 전달체는 유기물 또는 무기물인 제조방법
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제 24항에 있어서,상기 정공 전달체는 치밀막 또는 다공막 구조인 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 제1기판 및 제2기판은 유연 기판인 제조방법
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제 20항에 있어서,상기 제1기판 및 제2기판 중 적어도 한 기판은 투명 기판이며, 제1전극 및 제2전극 중 적어도 한 전극은 투명 전극인 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1구조체는 투명 기판인 제1기판, 제1기판상 위치하는 투명 전극인 제1전극 및 전하전달체를 더 포함하며,상기 제2구조체는 제2전극, 제2전극 상 위치하며, 800nm 이상의 광을 흡수하여 전자 및 정공을 생성하는 무기 광흡수층 및 접합층을 더 포함하는 제조방법
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제 29항에 있어서, 상기 무기 광흡수층은 4족반도체, 3-5족 반도체, 2-6족 반도체, 4-6족 반도체 또는 금속칼코젠화합물 반도체인 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 소자는 발광용 소자, 메모리용 소자, 광발전용 소자 또는 열전 소자인 제조방법
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제 1항, 제3항 내지 제15항 및 제18항 내지 제 30항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된 소자
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