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금속 PCB 알루미늄 기판을 아노다이징하여 30 ~ 80 ㎛ 두께의 알루미늄 산화막을 형성하는 단계;상기 알루미늄 산화막 상에 Ni 시드층을 형성하는 단계;상기 Ni 시드층 상의 일부 영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴이 형성된 영역을 제외한 상기 Ni 시드층 상에 전해 도금 공정을 통해 금속 배선을 형성하는 단계; 및 상기 금속 배선이 형성된 영역에 대응하도록 Ni 시드층을 식각하는 단계를 포함하며,상기 아노다이징은 인산, 옥살산, 황산, 유기산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 수용액 5 ~ 13중량% 내에서 2 ~ 7A/dm2의 전류밀도, 10 ~ 20℃에서 0
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제 1항에 있어서,상기 알루미늄 산화막은 20 ~ 40nm의 기공 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 LED용 고방열 금속 PCB 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 Ni 시드층 형성단계는 150∼200℃, 압력 1
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제 1항에 있어서,상기 Ni 시드층은 0
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제 1항에 있어서, 상기 금속 배선은 Ni, Ni 합금 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 금속인 것을 특징으로 하는 LED용 고방열 금속 PCB 기판 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 Ni 또는 Ni 합금 금속 배선을 형성하기 위한 전해 도금 공정은 NiSO4·5H2O(5~250g/l), H2SO4(5~50g/l), NiCl2·5H2O(5~50g/l), H3BO2(5~50g/l), 증백제(2~50g/l), 사카린(5~50g/l)로 이루어진 수용액(pH 6∼7) 내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 LED용 고방열 금속 PCB 기판 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 전해 도금은 40∼80 ℃의 온도에서 1∼10 A/dm2의 전류 밀도로 전기를 인가하여 수행하는 것을 특징으로 하는 LED용 고방열 금속 PCB 기판 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 배선은 Cu인 것을 특징으로 하는 LED용 고방열 금속 PCB 기판 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 Cu 금속 배선을 형성하기 위한 전해 도금 공정은 CuSO45H20 또는 CuCl25H20(5∼250g/l), H2SO4(5~50g/l), H3BO2(5~50g/l), 증백제(2~50g/l), 사카린(5~50g/l)로 이루어진 수용액(pH 6∼7) 내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 LED용 고방열 금속 PCB 기판 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 전해 도금은 40∼80 ℃의 온도에서 1∼10 A/dm2의 전류 밀도로 전기를 인가하여 수행하는 것을 특징으로 하는 LED용 고방열 금속 PCB 기판 제조방법
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