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알루미늄 공급원과 탄소공급원 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계; 및상기 혼합물을 질화 분위기에서 반응시켜 상기 알루미늄 공급원을 질화알루미늄 휘스커로 환원질화시키는 단계;를 포함하고, 상기 탄소공급원은 활성제를 함유하는 것인, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 활성제는 상기 탄소공급원에 500ppm 내지 25000ppm 범위의 함유량을 가지는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 활성제는 철(Fe), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb) 및 구리(Cu) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상을 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄 공급원은 알루미늄 산화물 또는 가열에 의해 알루미늄 산화물이 될 수 있는 수화물을 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 알루미늄 공급원은 알파 알루미나(α-alumina), 델타 알루미나(δ-alumina), 감마 알루미나(γ-alumina), 보헤마이트(boehmite), 다이아스포아(diaspore), 수산화알루미늄(Al(OH)3) 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄 공급원은 종횡비가 3 이상인 분말을 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 질화 분위기는 질소, 암모니아 또는 시안화합물을 포함하는 반응 기체 분위기를 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 반응기체 이외에 수소(H2)를 더 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 시안화합물은 아세토니트릴, 프로판니트릴, 벤조니트릴 및 시안화수소 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소공급원은 흑연(Graphite), 활성탄(activated carbon), 카본나노튜브(CNT), 카본나노파이버(CNF), 카본 블랙(Carbon Black), 그래핀(Graphene) 및 플러렌(Fullerene) 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 공급원을 질화알루미늄 휘스커로 환원질화시키는 단계를 수행한 이후에 잔류하는 탄소를 하소시켜 제거하는 단계;를 더 포함하는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원질화시키는 단계는, 1300℃ 내지 1700℃의 온도에서 수행되는, 질화알루미늄 휘스커 제조방법
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