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이종 방사선 측정 센서 및 그 제조 방법(A monolithic radiation sensor to detect multiple radiation and method of producing the same)

  • 기술번호 : KST2016013837
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이종 방사선 측정 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 반도체 기판, 반도체 기판의 하면에 형성된 적어도 하나의 하부전극, 반도체 기판의 상면에 하부전극과 전기적으로 연결되는 복수의 상부전극 및 복수의 상부전극 상에 각각 다른 물질과 반응하는 감지막을 포함한다.
Int. CL G01T 1/24 (2006.01) G01D 21/02 (2006.01) G01N 23/00 (2006.01)
CPC G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020160080768 (2016.06.28)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1648395-0000 (2016.08.09)
공개번호/일자 10-2016-0086780 (2016.07.20) 문서열기
공고번호/일자 (20160817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0160009 (2013.12.20)
관련 출원번호 1020130160009
심사청구여부/일자 Y (2016.06.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 하장호 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 정만희 대한민국 인천광역시 부평구
4 김영수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0623845-09
2 등록결정서
Decision to grant		 2016.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0565283-46
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번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판의 하면에 형성된 제1 내지 제4 하부전극;상기 반도체 기판의 상면에 상기 제1 내지 제4 하부전극과 각각 전기적으로 연결되는 제1 내지 제4 상부전극; 상기 제1 내지 제3 상부전극 상에 배치된 각각 다른 물질과 반응하는 제1 내지 제3 감지막; 및상기 제4 상부전극 상에 배치된 차폐막; 을 포함하되,상기 제1 감지막은 상기 제1 상부전극의 상면에 섬광체를 배치하고 상기 섬광체에 반사막을 배치함으로써 형성되고, 엑스선 및 감마선 중 적어도 어느 하나를 감지하고,상기 제2 감지막은 알파선 및 베타선 중 적어도 어느 하나를 감지하고,상기 제3 감지막은 상기 제3 상부전극의 상면에 중성자 반응 물질을 배치하고, 중성자를 감지하고, 상기 차폐막은 금속박막으로 형성되어 상기 제1 내지 제3 감지막에 대한 레퍼런스(reference) 역할을 하고, 상기 차폐막 자체의 노이즈 레벨을 기준으로 하여 상기 제1 내지 제3 기준막의 각각의 노이즈를 측정하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1 감지막의 섬광체에 투사된 엑스선 및 감사선 중 어느 하나의 섬광량을 측정하여 엑스선 및 감마선 중 적어도 어느 하나를 감지하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
3 3
제 1항에 있어서,상기 제2 감지막에 투사된 알파선 및 베타선 중 어느 하나의 투과율을 측정하여 알파선 및 베타선 중 어느 하나를 감지하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
4 4
제 1항에 있어서,상기 제3 감지막에 투사된 중성자가 상기 중성자 반응 물질과 화학반응한 양을 측정하여 중성자를 감지하는 것을 특징으로 하는 이종 방사선 측정 센서
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2016539324 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6353900 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국원자력연구원 원자력연구개발사업 화합물 반도체 방사선 센서 및 계측기 기술 개발