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MOS 커패시터를 이용한 전기장 측정 장치 및 방법(APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING ELECTRIC FIELD USING MOS CAPACITOR)

  • 기술번호 : KST2016013904
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예는 적어도 하나의 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압 및 MOS 커패시터에 저장되는 전하량을 조절하여 MOS 커패시터에 저장된 전하량 변화의 민감도를 결정하고, 일정 시간 전기장에 노출시킨 후 전기장에 의한 전자의 유입 또는 유출의 결과를 판독하여 전기장의 세기 및 방향을 해석함으로써 전기장의 세기 및 방향을 측정하는 기술을 제공한다.
Int. CL G01R 29/12 (2006.01) G01R 29/08 (2006.01)
CPC G01R 29/12(2013.01)
출원번호/일자 1020150006984 (2015.01.14)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1644736-0000 (2016.07.26)
공개번호/일자 10-2016-0087695 (2016.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (20160810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.04)
심사청구항수 66

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민상렬 대한민국 서울특별시 서초구
2 이용훈 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0039914-28
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0215240-48
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
5 [우선권주장 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Priority Claim] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2015.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0655612-27
6 보정요구서
Request for Amendment		 2015.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0111300-77
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0721994-24
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0187291-45
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0450527-82
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0450521-19
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0523656-00
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기장을 측정하는 전기장 측정 장치에 있어서,전기장에 노출되는 MOS 커패시터; 및상기 전기장에 의해 상기 MOS 커패시터에 저장되는 정보가 변경되도록 상기 MOS 커패시터를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 제어부는 상기 전기장에 노출되기 전 상기 MOS 커패시터에 저장된 전하의 적어도 일부가 상기 전기장에 노출됨으로써 유출되도록, 상기 MOS 커패시터를 제어하며,상기 유출되는 적어도 일부의 전하에 기초하여 상기 전기장이 측정되는 전기장 측정 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 MOS 커패시터에 저장되는 정보는상기 MOS 커패시터에 저장된 전하량을 포함하는 전기장 측정 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 MOS 커패시터는상기 MOS 커패시터의 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압을 이용하여 상기 MOS 커패시터의 서브스트레이트 영역에 전하를 저장하는 전기장 측정 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 제어부는상기 전기장에 의해 상기 MOS 커패시터에 저장되는 정보가 변경되도록 상기 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압을 제어하는 전기장 측정 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 전기장의 세기는상기 전기장에 노출되기 전 상기 MOS 커패시터에 기 저장된 전하량과,상기 전기장에 노출된 후 상기 MOS 커패시터에 저장된 전하량의 차이에 기초하여 계산되는 전기장 측정 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 MOS 커패시터에 저장된 전하량이 변경되는 민감도는상기 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압 및상기 MOS 커패시터에 기 저장된 전하량 중 적어도 하나에 기초하여 결정되는 전기장 측정 장치
7 7
제1항에 있어서상기 전기장 측정 장치는상기 MOS 커패시터에 저장되는 전하를 공급하는 입력 회로를 더 포함하는 전기장 측정 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 입력 회로는상기 MOS 커패시터에 입력될 전하를 공급하는 입력 다이오드; 및상기 입력 다이오드로부터 전하의 공급을 제어하기 위한 입력 게이트를 포함하는 전기장 측정 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 입력 다이오드는PN 접합의 형태 또는 쇼트키 접합의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
10 10
제8항에 있어서,상기 입력 게이트는MOS 커패시터의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
11 11
제7항에 있어서,상기 제어부는상기 MOS 커패시터가 상기 전기장에 노출되기 전, 초기화 정보가 전하의 형태로 상기 MOS 커패시터에 저장되도록 상기 입력 회로를 제어하는 전기장 측정 장치
12 12
제1항에 있어서,상기 전기장 측정 장치는상기 MOS 커패시터에 저장된 전하를 출력하는 출력 회로를 더 포함하는 전기장 측정 장치
13 13
제12항에 있어서,상기 출력 회로는상기 MOS 커패시터에 저장된 전하를 전기적 신호로 변환하는 출력 다이오드; 및상기 MOS 커패시터로부터 상기 출력 다이오드로 전하의 이동을 제어하는 출력 게이트를 포함하는 전기장 측정 장치
14 14
제13항에 있어서,상기 출력 다이오드는PN 접합의 형태 또는 쇼트키 접합의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
15 15
제13항에 있어서,상기 출력 게이트는MOS 커패시터의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
16 16
제12항에 있어서,상기 제어부는상기 MOS 커패시터가 상기 전기장에 노출된 후, 상기 MOS 커패시터에 저장된 전하가 전기적 신호로 출력되도록 상기 출력 회로를 제어하는 전기장 측정 장치
17 17
전기장을 측정하는 전기장 측정 장치에 있어서,복수의 MOS 커패시터들을 포함하는 측정부; 및전기장에 의해 상기 복수의 MOS 커패시터들 중 적어도 일부의 MOS 커패시터에 저장된 정보가 변경되도록 상기 측정부를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 제어부는 상기 전기장에 노출되기 전 상기 적어도 일부의 MOS 커패시터에 저장된 전하의 적어도 일부가 상기 전기장에 노출됨으로써 유출되도록, 상기 복수의 MOS 커패시터들을 제어하며,상기 유출되는 적어도 일부의 전하에 기초하여 상기 전기장이 측정되는 전기장 측정 장치
18 18
제17항에 있어서,상기 측정부는상기 복수의 MOS 커패시터들 중 적어도 하나의 MOS 커패시터를 측정 단위로 이용하는 전기장 측정 장치
19 19
제18항에 있어서,상기 측정 단위는적어도 하나의 제1 MOS 커패시터를 포함하거나,상기 제1 MOS 커패시터 및 상기 제1 MOS 커패시터 주변에 배치된 제2 MOS 커패시터들을 포함하는 전기장 측정 장치
20 20
제18항에 있어서,상기 측정 단위가 전기장에 노출되면,상기 측정 단위에 포함된 제1 MOS 커패시터에 저장된 전하는 상기 전기장에 의하여 상기 제1 MOS 커패시터 주변에 배치된 적어도 하나의 제2 MOS 커패시터로 이동하는 전기장 측정 장치
21 21
제18항에 있어서,상기 측정 단위에 의하여 측정되는 전기장의 세기는상기 측정 단위에 포함된 제1 MOS 커패시터에서 유출된 전하량; 및상기 제1 MOS 커패시터 주변에 배치된 적어도 하나의 제2 MOS 커패시터에 유입된 전하량중 적어도 하나에 기초하여 계산되는 전기장 측정 장치
22 22
제18항에 있어서,상기 측정 단위에 의하여 측정되는 상기 전기장의 방향은상기 측정 단위에 포함된 제1 MOS 커패시터의 주변에 배치된 복수의 제2 커패시터들 중, 상기 제1 MOS 커패시터로부터 유출된 전하가 유입된 적어도 하나의 제2 MOS 커패시터의 위치, 및상기 적어도 하나의 제2 MOS 커패시터에 유입된 전하량에 기초하여 계산되는 전기장 측정 장치
23 23
제17항에 있어서,상기 제어부는상기 전기장에 의하여 상기 측정부에 포함된 제1 MOS 커패시터로부터 유출되는 전하가 상기 제1 MOS 커패시터의 주변에 배치된 제2 MOS 커패시터들 중 적어도 하나에 유입되도록 상기 MOS 커패시터들에 인가되는 게이트 전압들을 제어하는 전기장 측정 장치
24 24
제23항에 있어서,상기 제1 MOS 커패시터에 저장된 전하가 유출되는 민감도는 상기 제1 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압 및 상기 제1 MOS 커패시터에 저장된 전하량 중 적어도 하나에 기초하여 결정되는 전기장 측정 장치
25 25
제23항에 있어서,상기 적어도 하나의 제2 MOS 커패시터에 전하가 유입되는 민감도는상기 제2 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압 및 상기 제2 MOS 커패시터에 저장된 전하량 중 적어도 하나에 기초하여 결정되는 전기장 측정 장치
26 26
제17항에 있어서,상기 측정부는복수의 측정 단위들-상기 복수의 측정 단위들 각각은 상기 복수의 MOS 커패시터들 중 적어도 하나로 구성됨-을 이용하여 복수의 위치에서 동시에 전기장을 측정하는 전기장 측정 장치
27 27
제17항에 있어서,상기 전기장 측정 장치는상기 측정부에 포함된 제1 MOS 커패시터 및 상기 제1 MOS 커패시터 주변에 배치된 제2 MOS 커패시터들에 저장되는 전하를 공급하는 적어도 하나의 입력 회로,를 더 포함하는 전기장 측정 장치
28 28
제27항에 있어서,상기 입력 회로는상기 제1 MOS 커패시터 및 제2 MOS 커패시터들에 입력될 전하를 공급하는 입력 다이오드; 및상기 입력 다이오드로부터 전하의 공급을 제어하기 위한 입력 게이트,를 포함하는 전기장 측정 장치
29 29
제28항에 있어서,상기 입력 다이오드는,PN 접합의 형태 또는 쇼트키 접합의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
30 30
제28항에 있어서,상기 입력 게이트는,MOS 커패시터의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
31 31
제27항에 있어서,상기 제어부는상기 제1 MOS 커패시터 및 상기 제2 MOS 커패시터들이 상기 전기장에 노출되기 전, 초기화 정보가 전하의 형태로 상기 제1 MOS 커패시터 및 상기 제2 MOS 커패시터들에 저장되도록 상기 입력 회로를 제어하는 전기장 측정 장치
32 32
제27항에 있어서,상기 제어부는상기 입력 회로를 통하여 입력된 전하가 상기 제1 MOS 커패시터로 이동되도록, 상기 입력 회로와 상기 제1 MOS 커패시터 사이에 인접한 MOS 커패시터들의 게이트 전압들을 순차적으로 제어하는 전기장 측정 장치
33 33
제27항에 있어서,상기 제어부는상기 입력 회로를 통하여 입력된 전하가 상기 제2 MOS 커패시터들 중 어느 하나로 이동되도록, 상기 입력 회로와 상기 어느 하나의 제2 MOS 커패시터 사이에 인접한 MOS 커패시터들의 게이트 전압들을 순차적으로 제어하는 전기장 측정 장치
34 34
제27항에 있어서,상기 입력 회로는,상기 입력 회로를 통하여 입력된 전하를 상기 제1 MOS 커패시터 또는 상기 제2 MOS 커패시터들 중 어느 하나로 이동시키기 전, 입력된 전하를 임시로 저장하는 입력 레지스터를 더 포함하는 전기장 측정 장치
35 35
제34항에 있어서,상기 입력 레지스터는,MOS 커패시터의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
36 36
제34항에 있어서,상기 제어부는상기 입력 회로를 통하여 입력된 전하가, 상기 제1 MOS 커패시터 또는 상기 제2 MOS 커패시터들 중 어느 하나로 이동되기 전, 상기 입력 레지스터에 저장되도록 상기 입력 회로 및 입력 레지스터에 인가되는 게이트 전압을 순차적으로 제어하는 전기장 측정 장치
37 37
제34항에 있어서,상기 제어부는상기 입력 레지스터에 저장된 전하가 상기 제1 MOS 커패시터 또는 상기 제2 MOS 커패시터들 중 어느 하나로 이동되도록 상기 입력 레지스터 및 상기 MOS 커패시터들에 인가되는 게이트 전압을 순차적으로 제어하는 전기장 측정 장치
38 38
제17항에 있어서,상기 전기장 측정 장치는상기 측정부에 포함된 제1 MOS 커패시터 및 상기 제1 MOS 커패시터 주변에 배치된 제2 MOS 커패시터들에 저장된 전하를 출력하는 적어도 하나의 출력 회로를 더 포함하는 전기장 측정 장치
39 39
제38항에 있어서,상기 출력 회로는상기 제1 MOS 커패시터 및 상기 제2 MOS 커패시터들에 저장된 전하를 전기적 신호로 변환하는 출력 다이오드; 및상기 제1 MOS 커패시터 및 상기 제2 MOS 커패시터들로부터 상기 출력 다이오드로 전하의 이동을 제어하는 출력 게이트를 포함하는 전기장 측정 장치
40 40
제39항에 있어서,상기 출력 다이오드는PN 접합의 형태 또는 쇼트키 접합의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
41 41
제39항에 있어서,상기 출력 게이트는MOS 커패시터의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
42 42
제38항에 있어서,상기 제어부는상기 제1 MOS 커패시터 및 상기 제2 MOS 커패시터들이 상기 전기장에 노출된 후, 상기 제1 MOS 커패시터 및 상기 제2 MOS 커패시터들에 저장된 전하가 전기적 신호로 출력되도록 상기 출력 회로를 제어하는 전기장 측정 장치
43 43
제38항에 있어서,상기 제어부는상기 제1 MOS 커패시터에 저장된 전하가 출력 회로로 이동되도록, 상기 제1 MOS 커패시터와 상기 출력 회로 사이에 인접한 MOS 커패시터들의 게이트 전압들을 순차적으로 제어하는 전기장 측정 장치
44 44
제38항에 있어서,상기 제어부는상기 제2 MOS 커패시터들 중 적어도 하나에 저장된 전하가 출력 회로로 이동되도록, 상기 적어도 하나의 제2 MOS 커패시터와 상기 출력 회로 사이에 인접한 MOS 커패시터들의 게이트 전압들을 순차적으로 제어하는 전기장 측정 장치
45 45
제38항에 있어서,상기 출력 회로는,상기 제1 MOS 커패시터 또는 상기 제2 MOS 커패시터들 중 적어도 하나에 저장된 전하가 상기 출력 회로를 통하여 출력되기 전, 출력될 전하를 임시로 저장하는 적어도 하나의 출력 레지스터를 더 포함하는 전기장 측정 장치
46 46
제45항에 있어서,상기 출력 레지스터는,MOS 커패시터의 형태로 구성되는 전기장 측정 장치
47 47
제45항에 있어서,상기 제어부는상기 제1 MOS 커패시터 또는 상기 제2 MOS 커패시터들 중 적어도 하나에 저장된 전하가, 상기 출력 회로로 이동되기 전, 상기 출력 레지스터에 저장되도록 상기 MOS 커패시터들 및 상기 출력 레지스터에 인가되는 게이트 전압을 순차적으로 제어하는 전기장 측정 장치
48 48
제45항에 있어서,상기 제어부는상기 출력 레지스터에 저장된 전하가 상기 출력 회로로 이동되도록, 상기 출력 레지스터 및 상기 출력 회로에 인가되는 게이트 전압을 순차적으로 제어하는 전기장 측정 장치
49 49
제17항에 있어서,상기 측정부는반도체 물질로 구성된 서브스트레이트;상기 서브스트레이트 위에 적층된 절연체; 및상기 절연체 위에 적층된 게이트 전극들을 포함하는 전기장 측정 장치
50 50
제49항에 있어서,상기 게이트 전극들은상기 절연체 위에 1차원적 또는 2차원적으로 배열되는 전기장 측정 장치
51 51
제49항에 있어서,상기 게이트 전극들 중 적어도 일부는나머지 게이트 전극들과 상이한 형태를 가지는 전기장 측정 장치
52 52
제49항에 있어서,상기 게이트 전극들은전기적으로 상기 제어부에 연결되며,상기 제어부는상기 게이트 전극들에 인가되는 게이트 전압들을 제어함으로써 상기 서브스트레이트 표면에 분포되는 전기적 위치 에너지를 제어하는 전기장 측정 장치
53 53
제52항에 있어서,상기 게이트 전극들 중 일부는미리 정해진 수의 페이즈 회선들 중 어느 하나에 연결되는 전기장 측정 장치
54 54
제53항에 있어서,상기 제어부는동일한 페이즈 회선에 연결된 복수의 게이트 전극들에 동일한 게이트 전압을 인가하는 전기장 측정 장치
55 55
MOS 커패시터를 이용한 전기장 측정 방법에 있어서전기장 측정 장치에 포함된 적어도 하나의 MOS 커패시터가 전기장에 노출되기 전, 상기 적어도 하나의 MOS 커패시터에 제1 정보를 저장함으로써 상기 전기장 측정 장치를 초기화하는 단계;상기 전기장을 측정하기 위하여, 제1 정보에 해당하는 전하 중 적어도 일부가 상기 전기장에 노출됨으로써 유출되도록 상기 제1 정보가 저장된 상기 적어도 하나의 MOS 커패시터를 제어하는 단계;상기 적어도 하나의 MOS 커패시터가 상기 전기장에 노출된 후, 상기 적어도 하나의 MOS 커패시터에 저장된 제2 정보를 수신하는 단계; 및상기 제1 정보 및 상기 제2 정보에 기초하여 상기 전기장의 세기와 관련된 정보 및 상기 전기장의 방향과 관련된 정보 중 적어도 하나를 획득하는 단계;를 포함하는 전기장 측정 방법
56 56
제55항에 있어서,상기 제1 정보는상기 적어도 하나의 MOS 커패시터를 초기화하기 위하여, 상기 적어도 하나의 MOS 커패시터에 저장되는 전하량을 포함하는 전기장 측정 방법
57 57
제55항에 있어서, 상기 초기화하는 단계는상기 적어도 하나의 MOS 커패시터에 저장되는 전하가 상기 전기장에 의하여 유출되는 민감도; 및 상기 유출된 전하가 적어도 하나의 다른 MOS 커패시터에 유입되는 민감도 중 적어도 하나를 고려하여 상기 제1 정보를 결정하는 단계를 포함하는 전기장 측정 방법
58 58
제55항에 있어서, 상기 초기화하는 단계는상기 적어도 하나의 MOS 커패시터에 저장될 전하가 상기 전기장에 의하여 유출되는 민감도; 및 상기 유출된 전하가 다른 적어도 하나의 MOS 커패시터에 유입되는 민감도 중 적어도 하나를 고려하여 상기 적어도 하나의 MOS 커패시터에 인가될 게이트 전압을 결정하는 단계를 포함하는 전기장 측정 방법
59 59
제55항에 있어서, 상기 초기화하는 단계는상기 적어도 하나의 MOS 커패시터가 전기장에 노출될 노출 시간; 및상기 적어도 하나의 MOS 커패시터가 전기장에 노출될 노출 횟수를 설정하는 단계를 포함하는 전기장 측정 방법
60 60
제55항에 있어서,상기 제어하는 단계는상기 제1 정보가 상기 전기장에 의해 변경되도록 상기 적어도 하나의 MOS 커패시터의 게이트 전압을 제어하는 단계를 포함하는 전기장 측정 방법
61 61
제55항에 있어서,상기 초기화하는 단계에서 설정된 노출 시간 및 노출 횟수에 기초하여, 전기장 측정의 종료 조건이 만족되는지 여부를 판단하는 단계를 더 포함하는 전기장 측정 방법
62 62
제61항에 있어서,상기 판단하는 단계에서 상기 종료 조건이 만족된다고 판단되는 경우, 상기 MOS 커패시터에 저장된 정보가 변경되지 않도록 상기 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압을 제어하는 단계를 더 포함하는 전기장 측정 방법
63 63
제61항에 있어서,상기 전기장 측정 장치는 상기 MOS 커패시터를 전기장으로부터 차폐시키는 차폐 장치를 더 포함하고,상기 판단하는 단계에서 상기 종료 조건이 만족된다고 판단되는 경우, 상기 MOS 커패시터가 전기장으로부터 차폐되도록 상기 차폐 장치를 제어하는 단계를 더 포함하는 전기장 측정 방법
64 64
제55항에 있어서,상기 획득하는 단계는상기 제1 정보, 상기 제2 정보, 및 상기 적어도 하나의 MOS 커패시터에 인가되는 게이트 전압에 기초하여, 상기 전기장의 세기를 계산하는 단계; 및상기 제1 정보 및 상기 제2 정보에 기초하여, 상기 전기장의 방향을 계산하는 단계중 적어도 하나를 포함하는 전기장 측정 방법
65 65
제55항에 있어서,상기 초기화하는 단계에서 설정된 전기장 노출 횟수와 실제 노출 횟수를 비교하는 단계; 및비교 결과 상기 실제 노출 횟수가 상기 설정된 노출 횟수에 미달된다고 판단되는 경우, 상기 초기화하는 단계 및 상기 제어하는 단계를 반복하여 수행하는 단계를 더 포함하는 전기장 측정 방법
66 66
제55항 내지 제65항 중에서 어느 하나의 항의 방법을 실행시키기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10725082 US 미국 FAMILY
2 US20180003757 US 미국 FAMILY
3 WO2016114461 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US10725082 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018003757 US 미국 DOCDBFAMILY
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