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다음 단계를 포함하는 비대칭 식각을 이용한 경사각이 조절된 패턴의 제조방법:(a) 기판에 전사된 프리-패턴의 일측면을 비대칭으로 식각하여 프리-패턴의 경사각을 조절하는 단계; (b) 프리-패턴이 전사되지 않은 부분을 제거하여 기판을 노출시키는 단계;(c) 상기 경사각이 조절된 프리-패턴을 기울여서 이온밀링하여, 기판의 성분이 프리-패턴의 일측면에 붙도록 하는 단계;(d) 상기 프리-패턴을 제거하여, 경사각이 조절된 패턴을 수득하는 단계
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제1항에 있어서, 상기 프리-패턴은 고분자 화합물, 포토레지스트 화합물, 실리콘, 실리콘옥사이드, 또는 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 비대칭 식각을 이용한 경사각이 조절된 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, ITO, 금, 은, 백금, 철, 구리, 티타늄, 알루미늄, 마그네슘, 크롬, 텅스텐, 나트륨, 칼륨, 칼슘, 바나듐, 코발트, 니켈, 하연, 게르마늄, 갈륨, 루비듐, 스트론튬, 지르코늄, 몰리브덴, 납, 카드늄, 인듐, 주석, 이리듐, 또는 상기 금속의 산화물 인 것을 특징으로 하는 비대칭 식각을 이용한 경사각이 조절된 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비대칭식각은 이온밀링 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 비대칭 식각을 이용한 경사각이 조절된 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계는 1~30분간 식각하는 것을 특징으로 하는 비대칭 식각을 이용한 경사각이 조절된 패턴의 제조방법
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다음의 단계를 포함하는 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴의 제조방법:(a) 기판에 전사된 프리-패턴의 일측면을 1~30분간, 30~50°의 각도로 비대칭 식각하여 프리-패턴의 경사각을 조절하는 단계; (b) 프리-패턴이 전사되지 않은 부분을 제거하여 기판을 노출시키는 단계;(c) 상기 경사각이 조절된 프리-패턴을 기울여서 이온밀링하여, 기판의 성분이 프리-패턴의 일측면에 붙도록 하는 단계;(d) 상기 프리-패턴을 제거하여, 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴을 수득하는 단계
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제6항에 있어서, 상기 프리-패턴은 고분자 화합물, 포토레지스트 화합물, 실리콘, 실리콘옥사이드, 또는 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, ITO, 금, 은, 백금, 철, 구리, 티타늄, 알루미늄, 마그네슘, 크롬, 텅스텐, 나트륨, 칼륨, 칼슘, 바나듐, 코발트, 니켈, 하연, 게르마늄, 갈륨, 루비듐, 스트론튬, 지르코늄, 몰리브덴, 납, 카드늄, 인듐, 주석, 이리듐, 또는 상기 금속의 산화물인 것을 특징으로 하는 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 비대칭 식각은 이온밀링 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴의 제조방법
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10
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되고, 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴
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11
제10항에 있어서, 상기 패턴은 5~50nm의 두께와 높이 20nm~10μm를 가지며, 패턴사이의 간격은 100nm~10μm인 것을 특징으로 하는 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴
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12
제10항의 패턴을 이용한 선경사각이 조절된 액정 디스플레이의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 제조방법은 (i) 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴을 가지는 두 개의 동일한 기판을 선패턴이 마주보게 한 다음, 스페이서를 부착하여 1~50μm의 간격을 유지하는 단계; 및(ii) 상기 마주본 기판 사이에 액정을 주입하여 디스플레이를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이의 제조방법
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제12항의 방법으로 제조되고, 선경사각이 0
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15
제10항의 패턴을 이용한 선경사각이 조절된 투명전극의 제조방법
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16
제15항의 방법으로 제조되고, 선경사각이 0
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17
제10항의 패턴을 이용한 선경사각이 조절된 터치스크린의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 제조방법은(a) 바닥면에 대하여 30~89° 기울어진 패턴을 가지는 기판에 기존의 선패턴과 수직이 되는 제2프리-패턴을 전사하는 단계; 및(b) 상기 제2프리-패턴을 식각하여 격자형의 선패턴을 수득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린의 제조방법
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19
제17항의 방법으로 제조되고 선경사각이 0
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20
다음의 단계를 포함하는 바닥면에 대하여 상측일부가 30~89°로 접힌 패턴의 제조방법:(a) 기판에 전사된 프리-패턴의 일측면을 1~30분간, 50~80°의 각도로 비대칭 식각하여 프리-패턴의 경사각을 조절하는 단계; (b) 프리-패턴이 전사되지 않은 부분을 제거하여 기판을 노출시키는 단계;(c) 상기 경사각이 조절된 프리-패턴을 기울여서 이온밀링하여, 기판의 성분이 프리-패턴의 일측면에 붙도록 하는 단계;(d) 상기 프리-패턴을 제거하여, 바닥면에 대하여 상측일부가 30~89°로 접힌 패턴을 수득하는 단계
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21
제20항에 있어서, 상기 프리-패턴은 고분자 화합물, 포토레지스트 화합물, 실리콘, 실리콘옥사이드, 또는 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 바닥면에 대하여, 상측일부가 30~89°로 접힌 패턴의 제조방법
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22
제20항에 있어서, 상기 바닥은 실리콘, ITO, 금, 은, 백금, 철, 구리, 티타늄, 알루미늄, 마그네슘, 크롬, 텅스텐, 나트륨, 칼륨, 칼슘, 바나듐, 코발트, 니켈, 하연, 게르마늄, 갈륨, 루비듐, 스트론튬, 지르코늄, 몰리브덴, 납, 카드늄, 인듐, 주석, 이리듐, 또는 상기 금속의 산화물인 것을 특징으로 하는 바닥면에 대하여, 상측일부가 30~89°로 접힌 패턴의 제조방법
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23
제20항에 있어서, 상기 비대칭식각은 이온밀링 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 바닥면에 대하여, 상측일부가 30~89°로 접힌 패턴의 제조방법
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제20항 내지 제23항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되고, 바닥면에 대하여 상측일부가 30~89°를 가지며, 하부는 80~110°각도를 가지는 패턴
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제24항에 있어서, 상기 패턴은 5~50nm의 두께와 높이 20nm~10μm를 가지며, 패턴사이의 간격은 100nm~10μm인 것을 특징으로 하는 바닥면에 대하여 상측일부가 40~60°로 접힌 패턴
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26
제24항의 패턴을 이용한 선경사각이 조절된 액정 디스플레이의 제조방법
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27
제26항에 있어서, 상기 제조방법은 (i) 바닥면에 대하여 상측일부가 30~89°를 가지며, 하부는 80~110°각도를 가지는 패턴을 가지는 동일한 두 개의 기판을 선패턴이 마주보게 한 다음, 스페이서를 부착하여 1~50μm의 간격을 유지하는 단계; 및(ii) 상기 마주본 기판 사이에 액정을 주입하여 디스플레이를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이의 제조방법;
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제26항의 방법으로 제조되고, 선경사각이 0
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29
제24항의 패턴을 이용한 선경사각이 조절된 투명전극의 제조방법
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제29항의 방법으로 제조되고 선경사각이 0
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31
제24항의 패턴을 이용한 선경사각이 조절된 터치스크린의 제조방법
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제31항에 있어서, 상기 제조방법은(a) 바닥면에 대하여 상측일부가 30~89°를 가지며, 하부는 80~110°각도를 가지는 패턴을 가지는 기판에 기존의 선패턴과 수직이 되는 제2프리-패턴을 전사하는 단계; 및(b) 상기 제2프리-패턴을 식각하여 격자형의 선패턴을 수득하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린의 제조방법
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33
제31항의 방법으로 제조되고, 선경사각이 0
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