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전계흡수 광변조 소자 및 그 제조 방법(ELECTRO-ABSORPTION OPTICAL MODULATION DEVICE AND THE METHOD OF FABRICATING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016013968
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 광도파로 및 광변조기에 사용되던 SOI (silicon-on-insulator) 웨이퍼를 대신하여, 벌크 실리콘 웨이퍼를 사용하여 CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 공정 및 열산화막(thermal oxide) 형성 공정을 이용함으로써 실리콘 산화물을 클래딩으로 하고 실리콘을 코어로 하는 광도파로 및 광도파로 상에 집적되는 광변조부를 포함하는 광변조기를 제공하고 그 제조방법을 제시한다.
Int. CL G02B 6/036 (2006.01.01) G02B 6/13 (2006.01.01)
CPC G02B 6/036(2013.01) G02B 6/036(2013.01)
출원번호/일자 1020150006866 (2015.01.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2163885-0000 (2020.10.05)
공개번호/일자 10-2016-0087960 (2016.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20201013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인규 대한민국 대전시 유성구
2 김경옥 대한민국 대전시 유성구
3 김상훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0039129-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0265300-44
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0077525-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0089726-66
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0247972-07
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0247971-51
9 등록결정서
Decision to grant
2020.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0647382-97
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번호 청구항
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반도체 기판의 일면에 제 1 클래드 층 및 광도파로 코어층을 형성하는 것;상기 광도파로 코어층 상에 광변조부를 형성하는 것; 및상기 광변조부 및 상기 광도파로 코어층 상에 제 2 클래드층을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 1 클래드층 및 상기 광도파로 코어층을 형성하는 것은:상기 반도체 기판 상의 일면에 형성되고, 제 1 방향으로 연장하는 한 쌍의 제 1 트렌치들 내에 산화물로 채우는 것; 및상기 제 1 트렌치들의 아래에 산화물로 채워지고 상기 제 1 트렌치들을 연결하는 제 2 트렌치를 형성하는 것을 포함하는 전계흡수 광변조 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 클래드층 및 상기 광도파로 층을 형성하는 것은:상기 반도체 기판의 일면 상에 식각 공정을 통해 이격된 한 쌍의 제 1 트렌치들을 형성하는 것;상기 제 1 트렌치들의 하부에 산화물을 형성하는 것;상기 제 1 트렌치들의 측벽들에 폴리 실리콘 막을 형성하는 것;상기 산화물을 제거하는 것;상기 반도체 기판을 열산화 처리하여 산화막을 형성하는 것; 및상기 산화막을 평탄화 하는 것을 포함하는 전계흡수 광변조 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 광변조부를 형성하는 것은:상기 광도파로 코어층의 상부 면에 불순물을 주입하여 제 1 컨택층을 형성하는 것;상기 제 1 컨택층 상에 에피택시 박막 성장 공정으로 공핍층을 형성하는 것; 및상기 공핍층의 상부 면에 불순물을 주입하여 제 2 컨택층을 형성하는 것을 포함하는 전계흡수 광변조 소자 제조 방법
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1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 ETRI연구개발지원사업 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 인터페이스 플랫폼 원천기술 개발