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a) 기판 상 하기 관계식 1을 만족하는 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 및b) 투명 기재 및 투명 기재의 광의 출사면에 접하여 형성되고 하기 관계식 2를 만족하는 평판형 금속 닷(plate-type metal dot)을 포함하는 광 마스크를 이용하되, 포토레지스트 막과 광 마스크 사이에 에어 갭(air gap)이 형성된 상태에서, 상기 포토레지스트 막을 노광하고, 노광된 포토레지스트 막을 현상하여, 단층 고리 형상, 또는 둘 이상의 고리가 적층되고, 적층된 각 고리가 동심구조를 가지며, 광 조사 방향으로의 투사(projection) 이미지 상, 상부 고리가 하부 고리 내부에 위치하는 다층 고리 형상의 포토레지스트 패턴을 제조하는 단계;를 포함하는 포토리소그래피 방법
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제 1항에 있어서,상기 평판형 금속 닷의 금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt 및 Au를 포함하는 전이금속; Al, Ga, In, Tl, Sn, Pb 및 Bi를 포함하는 전이후 금속; 및 Li, Be, Na, Mg, K, Ca, Rb, Sr, Cs 및 Ba을 포함하는 금속;에서 하나 이상 선택되는 포토리소그래피 방법
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