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산화금속 박막의 제조 방법(PREPARING METHOD OF METAL OXIDE THIN FILM)

  • 기술번호 : KST2016014068
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 원자층 증착법을 이용한 산화금속 박막의 제조 방법 및 상기 산화금속 박막의 제조 방법을 포함하는 리튬-함유 산화금속 박막의 제조 방법, 및 상기 방법들로 제조된 산화코발트 박막 및 리튬-함유 산화금속 박막을 포함하는 리튬이차전지에 관한 것이다.
Int. CL H01M 4/04 (2006.01) H01M 4/139 (2010.01) H01M 10/052 (2010.01) H01M 4/485 (2010.01)
CPC H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01) H01M 4/0428(2013.01)
출원번호/일자 1020150008114 (2015.01.16)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0088699 (2016.07.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원준 대한민국 서울특별시 마포구
2 한별 대한민국 서울특별시 중랑구
3 박재민 대한민국 울산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048649-34
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0015348-79
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0015340-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0810480-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0014556-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0014410-79
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0288775-67
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로서 표시되는 금속(M) 전구체 및 반응가스를 사용하여 원자층 증착법을 통해 산화금속 박막을 기재에 증착시키는 것을 포함하는, 산화금속 박막의 제조 방법:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,M은, Co, Ni, Mn, 또는 Fe이고,R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 C1 ~ C6 알킬기임
2 2
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1 중 R1 내지 R4는 각각 이소프로필인 것인, 산화금속 박막의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 반응가스는 산소(O2), 오존(O3), H2O, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 산화금속 박막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 산화금속 박막의 증착은 100℃ 내지 400℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 산화금속 박막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산화금속 박막은 0
6 6
제 1 항에 있어서,상기 기재에 증착된 산화금속 박막은 스피넬(spinel) 구조로 형성된 것을 포함하는, 산화금속 박막의 제조 방법
7 7
하기 화학식 1로서 표시되는 금속(M) 전구체 및 제 1 반응가스를 사용하여 원자층 증착법을 통해 산화금속 박막을 기재에 증착시키는 것; 및리튬 전구체 및 제 2 반응가스를 사용하여 원자층 증착법을 통해 산화리튬 박막을 상기 산화금속 박막에 증착시키는 것을 포함하는, 리튬-함유 산화금속 박막의 제조 방법:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,M은, Co, Ni, Mn, 또는 Fe이고,R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 C1 ~ C6 알킬기임
8 8
제 7 항에 있어서,상기 리튬-함유 산화금속 박막의 제조 방법을 1 회 이상 반복 수행하는 것을 포함하는, 리튬-함유 산화금속 박막의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 리튬-함유 산화금속 박막은 LiCoO2, LiNiO2, LiMnO2, 또는 LiCoxNiyMn1-x-yOz를 포함하는 것인, 리튬-함유 산화금속 박막의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 제 1 반응가스 및 상기 제 2 반응가스는 산소(O2), 오존(O3), H2O, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 리튬-함유 산화금속 박막의 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 산화금속 박막의 증착은 100℃ 내지 400℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 리튬-함유 산화금속 박막의 제조 방법
12 12
하기 화학식 1로서 표시되는 금속(M) 전구체 및 제 1 반응가스를 사용하여 원자층 증착법을 통해 기재에 증착된 산화금속 박막을 포함하는 애노드;상기 애노드 상에 도핑된 고체 전해질; 및상기 전해질 상에 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 리튬-함유 산화금속 박막을 포함하는 캐소드를 포함하는, 리튬이차전지:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,M은, Co, Ni, Mn, 또는 Fe이고,R1 내지 R4는, 각각 독립적으로 C1 ~ C6 알킬기임
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 리튬이차전지는 3 차원 박막전지인 것을 포함하는, 리튬이차전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 세종대학교 산학협력단 일반연구자지원사업 리튬-공기 전지의 성능 및 안정성 향상을 위한 리튬음극 보호막 형성기술