맞춤기술찾기
이전대상기술
발광다이오드의 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드(METHOD OF FABRICATING LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE MANUFACTURED THEREBY)
- 기술번호 : KST2016014160
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 발광다이오드의 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드가 제공된다. 상세하게는, 발광구조물 상에 요철 패턴을 형성하고, 상기 요철 패턴 상에 나노스피어층을 이식하여 건식식각을 수행함으로써, 상기 요철 패턴의 표면에 복수개의 나노돌기가 배치된 계층형 표면 구조를 형성하는 발광다이오드의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 나노스피어 리소그래피 및 건식식각 공정을 통해 주기적으로 배치된 요철 패턴 표면에 복수개의 나노돌기가 형성된 계층형 표면 구조를 용이하게 형성할 수 있어, 제조공정의 간소화 및 제조수율의 향상을 기대할 수 있다. 또한, 계층형 표면 구조로 인해 발광다이오드의 광출력(광추출) 및 광균일성을 향상시킬 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/20 (2010.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020150008536 (2015.01.19) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1681242-0000 (2016.11.24) |
| 공개번호/일자 | 10-2016-0089081 (2016.07.27) |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | |
| 심사청구항수 | 0 |